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51.
基于美国国家仪器公司的PXI总线实时控制硬件以及图形化编程软件LabVIEW设计并集成了综合离心加压试验控制系统;在硬件方面,设计了由PXI实时控制器和Host主机组成的上下位机架构的控制系统;在软件方面,了解并掌握综合离心加压试验的需求和试验流程,设计并实现了位置式PID闭环控制、网络通讯、数据保存、以及人机交互界面等功能;并对该实时控制系统进行了地面调试,调试结果分析表明,该实时控制系统具有控制精度高、可靠性好、开发周期短,稳定性好,能够完成多回路的综合离心加压实时控制任务,并为产品集成设计提供一些经验借鉴。 相似文献
52.
为体现人与自然和谐共处的治水理念，创建优美的管理和工作环境，使水利工程与文明城市建设有机结合，为市民和游客提供旅游观光、休闲健身的好场所，对建设水利风景区的必要性等进行论述。 相似文献
53.
河套灌区节水农业技术的总体技术水平与发达灌区的差距还比较大,且在发展中仍存在一定的盲目性,具有自主知识产权的先进技术和产品很少,节水灌溉设备产业化程度低。以下就河套灌区在节水农业技术方面采用的具体措施进行一些探讨。 相似文献
54.
GaInP材料生长及其性质研究 总被引：1，自引：0，他引：1
用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关． 相似文献
55.
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置衬底SOI/nMOS晶体管的电流—电压特性曲线进行了理论计算,讨论了Kink效应的产生机理。计算结果与实验符合甚好。对器件参数的分析可以定性地指导抑制Kink效应的器件优化设计。 相似文献
56.
给出一套具有较高精度且同时适用于数字电路和模拟电路ＣＡＤ的短沟ＭＯＳ器件直流模型。该模型精确、高效，可移植到ＨＳＰＩＣＥ等通用线路分析软件中。结合解析和数值两种参数提取方法，文中采用局部优化参数提取法进行ＭＯＳ器件参数提取。优化算法采用单纯形直接搜索法。参数提取过程中考虑了输出电导的精确性。通过对１．２μｍＣＭＯＳ工艺ＮＭＯＳ器件的测试及参数提取，并进行模型计算，结果表明理论和实际值符合很好。 相似文献
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