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室温下,采用射频磁控溅射法分别在钠钙玻璃和P型硅衬底上制备了不同厚度的钇掺杂铟锌氧薄膜。研究了薄膜的结构形貌和光学特性。以P型硅为栅极制备了底栅结构的YIZO薄膜晶体管,并研究了器件的输出和转移特性。研究发现,室温下制备的所有Y掺杂IZO薄膜均为非晶结构,YIZO薄膜晶体管均为n沟道耗尽型器件。有源层厚度为20nm的器件的开关电流比超过105,亚阈值摆幅为2.20 V/decade,阈值电压为-1.0V, 饱和迁移率为0.57 cm2/ V·s。 相似文献
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研究3 2 P照射体外培养HeLa细胞细胞周期影响特点 ,以探索肿瘤核素治疗放射生物学机制。采用人宫颈癌HeLa细胞系体外培养 ,制作3 2 P放射性贴片照射细胞 ,通过观察照射后细胞周期再分布 ,研究不同剂量、剂量率、照射时间细胞放射效应特点。结果表明 ,照射后G2期阻滞为剂量依赖性 ,但阻滞达峰值后 ,随照射时间延长 ,累积剂量增加阻滞程度不再增加 ,有坪值 ,其大小与剂量率有关 ;G2期阻滞峰值的时间均为 2 4h左右 ,2 4— 32h之后下降。结果提示 ,3 2 P放射性贴片照射HeLa细胞 ,照射后细胞表现为G2期阻滞 ,阻滞程度与剂量相关 ,G2期阻滞达峰值的时间与细胞周期内在属性相关 ,与剂量、照射时间无关。 相似文献
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中物院太赫兹自由电子激光(CTFEL)装置是我国第一台基于超导加速器的高重复频率、高平均功率太赫兹自由电子激光装置。CTFEL利用光阴极直流高压电子枪和超导加速器产生约8 MeV电子束在波荡器中产生自发太赫兹(THz)辐射,并在光腔中受激放大获得饱和输出。得益于在0.7~4.2 THz频谱范围内连续可调以及平均功率大于10 W的特性,CTFEL为材料动力学、太赫兹成像、太赫兹生物学等领域提供了独特的研究平台。自2018年开放成为用户装置以来,每年提供不少于1000 h的稳定出光。未来CTFEL将在现有基础上升级成为红外太赫兹自由电子激光装置,实现太赫兹频率全覆盖以及最大功率大于100 W的目标,力争成为世界先进的长波长自由电子激光装置。 相似文献
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介绍了 FEL-THz装置中电子枪控制系统的设计与实现过程。利用 Microsoft公司发布的 Visual C++6.0进行了控制系统软件的开发和设计。实验结果显示,该软件操作简捷,具有良好的人机操作界面,程序实时响应速度快,运行稳定,为电子枪高压老炼以及系统测评提供支持。 相似文献
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复合阻抗安装在光纤复合架空地线OPGW(Optical F iber Composite Overhead G round W ires)与地之间用于减少逐杆接地OPGW上的能量损耗。在说明复合阻抗导通后对系统零序阻抗产生影响的基础上,更进一步地分析了由于系统零序阻抗变化而造成的对接地距离保护的影响,然后提出了相应的改进措施,最后结合一条220 kV实际线路验证了分析结论。 相似文献
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