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51.
为了探讨热处理制度对SiO2-CaO-Al2O3-MgO-ZnO-Fe2O3系玻璃陶瓷析晶的影响,利用高温熔融法制备基础玻璃,并用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等技术考察玻璃陶瓷的析晶特征。结果表明:在所研究的玻璃体系中析出主晶相为锌橄榄石(Ca2ZnSi2O7),部分氧化锌和氧化铁固溶到硅灰石(CaSiO3)中,形成辉石类晶体(Ca(Fe,Zn)Si2O3)。热处理制度对析出晶体的种类影响不大,但是对析出晶体的形态有较大程度的影响。在随炉升温的情况下,试样表面形成枝状Ca(Fe,Zn)Si2O6晶体,而在内部形成Ca2ZnSi2O7和Ca(Fe,Zn)Si2O6。两种晶体相互交蕃析出,形成条带状组织。在750℃的保温有利于晶体的整体析出。 相似文献
52.
加窗插值快速傅里叶变换是目前最常用的谐波信号分析方法。当信号中含有频率相近的谐波和间谐波分量时,频谱中通常存在主瓣干扰现象,影响到加窗插值快速傅里叶变换的精度。针对这一问题,研究了主瓣内谱线的相位特性,提出了一种判断主瓣干扰存在的方法,进而识别出频率相近的谐波和间谐波分量。仿真实验验证了该算法的有效性和准确性。 相似文献
53.
54.
The carbon ion implantation with energy of 4.0 MeV and a dose of 4.0×1014 ions/cm2 is employed for fabricating the optical waveguide in fluoride lead silicate glasses. The optical modes as well as the effective refractive indices are measured by the prism coupling method. The refractive index distribution in the fluoride lead silicate glass waveguide is simulated by the reflectivity calculation method (RCM). The light intensity profile and the energy losses are calculated by the ?nite-difference beam propagation method (FD-BPM) and the program of stopping and range of ions in matter (SRIM), respectively. The propagation properties indicate that the C2+ ion-implanted fluoride lead silicate glass waveguide is a candidate for fabricating optical devices. 相似文献
55.
预吸附水对低阶煤成浆性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
针对低阶煤由于内水分高、含氧量高导致的成浆性差的问题,研究了预吸附水对低阶煤成浆性能的影响.结果表明,预吸附水处理后低阶煤的成浆性能得到了较大的提高,当制浆浓度达到63%时黏度仅为1 200 mPa·s,比相同黏度下原煤制浆浓度提高了约3%.元素分析结果表明,预吸附水后低阶煤含氧官能团含量没有发生变化;比表面积和孔隙结构测试结果表明,煤样预吸附水处理后比表面积减少,吸附水阻塞了一部分中孔,使总孔容积减少,减少了煤孔隙中分散剂的吸附,同时预吸附水使煤样的润湿性能增强,煤粒间的静电斥力增加,从而提高了低阶煤的成浆性能. 相似文献
56.
基于新型树枝状大分子聚酰基硫脲(PATU),通过巯基-烯Michael加成反应得到表面N, N-二甲基半胱胺修饰的聚酰基硫脲(PATU-DMCA). 核磁结果表明:PATU-DMCA树枝状结构正确且完整. 琼脂糖凝胶电泳及动态光散射粒径测定结果表明:PATU-DMCA在低代数、低氮磷摩尔比条件下可以有效包载DNA,形成粒径为60~100 nm、Zeta电位为10~20 mV的纳米复合物. 在人宫颈癌细胞HeLa和人肺癌细胞A549上,低氮磷摩尔比的PATU-DMCA的无血清转染效率优于经典的树枝状大分子基因载体聚酰胺胺,而两者细胞毒性相当. HeLa上的亚细胞分布结果表明:纳米复合物在细胞水平的转运过程基本包括黏附细胞膜、内吞入胞、进入溶酶体,通过“质子海绵”效应从溶酶体逃逸后进入细胞质及细胞核进行转染. PATU-DMCA以及PATU本身在基因输送中均具有很大的潜力. 相似文献
57.
According to the plasma dispersion effect of silicon (Si), a silicon-on-insulator (SOI) based variable optical attenuator (VOA) with p-i-n lateral diode structure is demonstrated in this paper. A wire rib waveguide with sub-micrometer cross section is adopted. The device is only about 2 mm long. The power consumption of the VOA is 76.3 mW (0.67 V, 113.9 mA), and due to the carrier absorption, the polarization dependent loss (PDL) is 0.1 dB at 20 dB attenuation. The raise time of the VOA is 34.5 ns, the fall time is 37 ns, and the response time is 71.5 ns. 相似文献
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