大跨度粘土公路隧道台阶法施工技术探讨

在寒区大跨度浅埋粘土隧道施工中,因粘土含水量大、粘结力差、受施工扰动强度易衰减快,地基承载力低,施工方式选择不当易造成隧道坍塌.结合在建天恒山隧道大里程段台阶法施工的实践,对大跨度浅埋土质隧道采用台阶法施工中的开挖支护施工工艺、施工质量控制要点等进行分析和探讨,指导了天恒山隧道的施工.天恒山浅埋粘土隧道三台阶法施工的成功应用为大跨度浅埋土质隧道的施工提供了技术资料,可供同类隧道施工借鉴.     

在SiO2中掺Al对Au/纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si 结构电致发光的影响

利用射频磁控溅射方法,制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构,用磁控溅射制备纳米SiO2∶Al时所用的SiO2/Al复合靶中的Al的面积百分比为1%．上述两种结构中Si层厚度均为1—3nm,间隔为0.2nm．为了对比研究,还制备了Si层厚度为零的样品．这两种结构在900℃氮气下退火30min,正面蒸半透明Au膜,背面蒸Al作欧姆接触后,都在正向偏置下观察到电致发光（EL）．在一定的正向偏置下,EL强度和峰位以及电流都随Si层厚度的增加而同步振荡,位相相同．但掺Al结构的发光强度普遍比不掺Al结构强．另外,这两种结构的EL具体振荡特性有明显不同．对这两种结构的电致发光的物理机制和SiO2中掺Al的作用进行了分析和讨论．     

Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.     

盖家沟引黄闸清淤方法

盖家沟引黄闸在今春进行闸底板部位清淤工作中,采用了水力冲淤,比过去效率高、成本低、动用劳力少,取得了较好的效果。茲将现场冲淤情况介绍如下:一、冲淤准备1.机械配备:10瓩电动机2部;15厘米水泵2部;15厘米直径进水胶管12米(带水笼头2个);10厘米直径出水胶管55米;5厘米出口冲淤咀一个。2.人员配备:开关电动机2人;直接掌握冲淤的     

大气中存放的多孔硅的红外吸收与光致发光的时间演化

以氢氟酸阳极氧化单晶硅制备了多孔硅.在室温下测量了多孔硅在大气中存放2小时,26小时,7天和30天后的红外吸收与光致发光谱.观察到与氧有关的局域振动红外吸收增强的速率远大于与氢和与氟有关振动吸收的降低速率; 而其光致发光强度下降的速率则居于两者之间.     

发可见光的多孔硅

本文比较系统地对多孔硅的制备，光致发光和电致发光特性，微结构和发光机制作作了论述了介绍了当前国内外多孔硅研究中的一些热点问题与学术争论情况。     

热处理掺锡的磷化铟中1.36eV发光峰的研究

本文研究了热处理对高压液封法生长的掺Sn的、掺s的和未掺杂的磷化铟的光致发光光谱的影响.掺Sn的InP在热处理温度高于500℃时出现了1.36eV 发光峰,同样热处理条件下,未掺杂的与掺S的InP材料不存在这个发光峰.研究表明,热处理掺Sn的InP中1.36eV发光峰所对应的发光中心很可能是Sn和V_p构成的复合体.     

低压MOVPE外延生长GaN膜的光致发光激发谱研究

对用低压ＭＯＶＰＥ法生长的非掺ＧａＮ外延膜，在其光致发光谱峰位３７０ｍｍ、５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近测量了光致发光激发（ＰＬＥ）谱．对于５９０ｕｍ和７４０ｕｍ附近的发光来说，各样品的ＰＬＥ峰都位于３６０ｕｍ处，而对于３７０ｕｍ发光来说，大部分样品ＰＬＥ峰位于２８０ｕｍ处，而有的样品却位于２６０与３００ｎｍ两个波长处，对这些结果进行了讨论．     

硅中E_c-O.18 eV铜能级的单轴应力深能级瞬态谱研究

首次用单轴应力下的深能级瞬态谱法研究了N型直拉硅中与铜有关的主要深能级E_c-0.18eV.由实验结果推断,这个能级对应于硅中两个不同的铜中心,其深能级的激活能十分接近,单轴应力使偶然简并解除从而将它们分开.     

以ZnS为源用化学气相沉积法在硅衬底上生长ZnO纳米颗粒

首次以ZnS为源,采用化学气相沉积法在抛光的Si单晶片衬底上生长晶态的ZnO纳米颗粒,其形貌、尺寸和密度都与气体流量、衬底温度、生长时间以及有无催化剂等生长条件密切相关．在没有Au催化的条件下,ZnO颗粒呈圆形颗粒,直径多在30-200nm之间,密度为10^4-10^9cm^-2;有Au催化的条件下,ZnO纳米颗粒呈六边形,平均尺寸明显变小,在10—100cm之间,而密度显著提高,为10^8-10^10cm^-2所制备的纳米ZnO颗粒在497nm和376nm附近分别有很强和较弱的光致发光．