全文获取类型
收费全文 | 133篇 |
免费 | 22篇 |
国内免费 | 9篇 |
专业分类
电工技术 | 3篇 |
综合类 | 15篇 |
化学工业 | 8篇 |
金属工艺 | 1篇 |
机械仪表 | 3篇 |
建筑科学 | 4篇 |
矿业工程 | 47篇 |
能源动力 | 1篇 |
轻工业 | 4篇 |
水利工程 | 4篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 2篇 |
无线电 | 55篇 |
一般工业技术 | 9篇 |
自动化技术 | 7篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 1篇 |
2022年 | 9篇 |
2021年 | 3篇 |
2020年 | 6篇 |
2019年 | 3篇 |
2018年 | 6篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 2篇 |
2015年 | 4篇 |
2014年 | 7篇 |
2013年 | 17篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 17篇 |
2010年 | 5篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 9篇 |
2007年 | 3篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 6篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 13篇 |
2001年 | 5篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 1篇 |
1998年 | 1篇 |
1995年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有164条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)微波功率性能和击穿性能的不良影响。通过材料生长工艺的优化,降低了寄生导电层的导电性,获得了击穿电压超过320V的Si基GaN HEMT功率电子器件。 相似文献
62.
利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30min之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。 相似文献
63.
报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。 相似文献
64.
以1,4-二氧六环为溶剂,NaOH为催化剂,对废弃的含4,4'-联苯二酚(BP)单元的芳香族聚酯型液晶高分子(LCP),在常压下通过水解反应回收制备4,4'-联苯二酚进行了研究。在反应混合物的质量比m(LCP)∶m(溶剂)∶m(H2O)∶m(NaOH)=1∶4∶1.5∶0.6的最优条件下,液晶高分子的水解率达97%以上。通过在水解液中加入HCl并控制其pH在8.5,沉淀得到4,4'-联苯二酚。4,4'-联苯二酚经水洗、干燥、甲醇重结晶后,液相色谱检测其纯度可达99.9%,从废弃液晶高分子中制备4,4'-联苯二酚的收率为70%。 相似文献
65.
以1,4-二氧六环为溶剂,NaOH为催化剂,对废弃的含4,4'-联苯二酚(BP)单元的芳香族聚酯型液晶高分子(LCP),在常压下通过水解反应回收制备4,4'-联苯二酚进行了研究。在反应混合物的质量比m(LCP)∶m(溶剂)∶m(H2O)∶m(NaOH)=1∶4∶1.5∶0.6的最优条件下,液晶高分子的水解率达97%以上。通过在水解液中加入HCl并控制其pH在8.5,沉淀得到4,4'-联苯二酚。4,4'-联苯二酚经水洗、干燥、甲醇重结晶后,液相色谱检测其纯度可达99.9%,从废弃液晶高分子中制备4,4'-联苯二酚的收率为70%。 相似文献
66.
如何解决煤矿控制系统的干扰问题 总被引:1,自引:0,他引:1
李忠辉 《中国新技术新产品》2008,(8):88-88
煤矿的环境比较复杂、恶劣,常存在干扰,如环境温度、湿度、噪声等,而且工作电压大部分是强电,易产生电磁干扰,这些对系统的可靠性与安全性构成了极大的威胁。控制系统必须长期稳定、可靠运行,否则将导致控制误差加大,严重时会使系统失灵,甚至造成巨大损失。 相似文献
67.
研究了砂岩破裂过程的电位信号规律及其破坏的电位前兆特征,结果表明,砂岩在破裂过程中有电位信号产生,电位信号与试样的变形破裂呈现良好的对应关系;电位信号对加载初期的变形破坏及裂纹的生成比较敏感,声发射在初期比较平淡,在加载后期电位幅值略有降低,而声发射信号大量增加;在试样的加速变形过程中在应变峰值的70%~97%范围内有强脉冲电位信号出现,电位信号的峰前突增可以作为砂岩破坏的前兆特征.通过研究煤岩体破裂过程的电位信号变化规律,可以加深对岩石破裂微观过程的认识,为将来利用电位技术监测隧道岩体稳定性及隧道施工安全提供了基础性研究结果. 相似文献
68.
69.
为深入分析煤样受载破裂机制,试验研究了煤样单轴压缩下表面电位变化规律,应用多重分形统计理论分析表面电位信号,计算其多重分形谱,并分析多重分形谱特征参数随加载过程的变化规律。研究结果表明:煤样表面电位信号存在多重分形特征,在较大尺度内满足标度不变性;不同尺寸的试样,表面电位信号多重分形谱呈右钩状;多重分形谱特征参数Δα和Δf的变化规律与试样受载变形破裂过程具有良好的对应关系,Δα和Δf经过较长时间平稳升高后迅速下降的趋势改变可以作为破裂的前兆信息,对试样失稳进行提前预警。 相似文献
70.