煤样破坏应变局部化与表面电位分布规律研究

为研究煤样表面电位分布与破坏局部化之间的关系,进行了煤样受载应变场及表面电位分布规律的测试,研究分析了表面电位场与煤样应变局部化和煤样破坏的对应关系。结果表明,煤样变形破坏过程中表现出明显的应变局部化特征,应变局部化集中区域是煤样损伤和破坏剧烈区域,应变局部化带往往是煤样出现破坏的位置。煤样变形破坏的表面电位场具有与应变场相似的分布特征,在损伤局部化区域表面电位场也具有集中化特征,煤样表面电位高、低电位点的连线反映了煤样的断裂面位置。     

我国煤与瓦斯突出防治理论技术研究进展与展望

我国是世界上煤与瓦斯突出灾害最为严重的国家,在突出预防方面进行了大量深入的研究和实践,突出防治取得了较为显著的效果,但近年来突出灾害事故仍时有发生.为了进一步提高深部矿井煤与瓦斯突出防控技术,提升煤矿安全、智能化水平和煤炭安全保障能力,分析了突出发生机理研究进展及现状,阐述了我国煤与瓦斯突出预测及监测预警手段的关键技术...     

煤体瓦斯运移诱发电位信号的实验研究

为了研究瓦斯在煤体中运移引起的电位信号,设计了煤体充放瓦斯电位信号实验系统,测试了不同压力下瓦斯在煤体运移产生的电位信号。实验结果表明,瓦斯在煤体中的流动会引起煤体电位变化,在煤样进气口处产生的电位信号强度高于煤样中部电位信号强度,而在放气口处未测到显著的电位变化,随着瓦斯压力的衰减,煤样的电位信号强度减小;瓦斯流动电位与充气压力之间不存在显著线性关系,充气过程电位强度高时,相应放气过程产生的电位强度较低,而充气过程产生的电位强度低时,对应放气过程产生的电位信号强度较高;煤体瓦斯流动电位信号的产生主要为瓦斯气体对煤体微结构的冲击破坏而产生自由电荷,以及气体在煤体孔隙内流动的流动电势及瓦斯与煤体气固两相摩擦起电等。     

细乳液聚合制备聚苯乙烯包覆溶剂蓝36的纳米色料

通过细乳液聚合成功制备了聚苯乙烯包覆溶剂蓝36的纳米色料乳胶液。系统研究了憎水剂的种类、乳化剂的浓度、染料浓度以及均化时间对纳米色料微观形貌的影响。结果表明,当乳化剂马来酸酐单十六酯羧酸钠(HEC16)浓度控制在13.3mmol/L～20mmol/L之间,均化时间控制在20min,染料加入量控制在单体质量的10%左右的时候,采用十二烷基硫醇作为憎水剂,可以制备出粒径小于100nm、粒径分布窄且具有核壳结构的高颜色亮度的纳米色料乳胶粒子。     

铝合金表面等离子喷涂镍层的显微分析

由于等离子喷涂包含复杂的物理和化学反应,且反应极其迅速,不可避免在涂层中产生空隙和其它缺陷。为了提高涂层质量,有必要对涂层的局部区域进行显微分析,以了解涂层形成特点,为探索涂层与基体间结合的物理化学现象本质提供依据。实验喷涂基材选用硅铝合金（Al-12％Si）,喷涂材料为99．5％金属镍粉,涂层厚度为0．1mm。利用金相显微镜和扫描电镜对镍层与铝合金基体的连接、涂层的形貌及涂层的断口结构进行观察和分析,结果表明铝合金表面氧化膜层阻碍镍铝互熔,同时镍粒子之间互相连接的焊合点并不充满粒子间的整个接触面,快速散流和结晶留下的缺陷、气体吸附及尘埃沉积也影响涂层的性能。     

煤矿瓦斯灾害风险隐患大数据监测预警云平台与应用

瓦斯灾害仍然是我国深部煤矿开采的主要灾害,随着采深及开采强度的加大,危险性日趋严重.瓦斯灾害影响因素及耦合关系非常复杂,灾害事故时有发生.基于安全监测大数据进行瓦斯灾害和风险隐患一体化分析预警已成为煤矿安全管理、监管和监察的迫切需求.分析了瓦斯灾害与风险隐患的大数据特征,提出了基于安全监测大数据的瓦斯灾害风险隐患识别与...     

基于50nm AlN/GaN异质结的G波段放大器

报道了基于50 nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaN HEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50 nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1 A/mm,最大跨导为700 mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180 GHz及350 GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6 V,在162 GHz小信号增益大于10 dB。166 GHz连续波峰值输出功率11.36 dBm,功率密度达到684 mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。     

少层氮化硼的生长机理及技术研究北大核心

采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了一种Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运及分时输运相结合的外延生长工艺,显著提升了二维BN材料质量,其中1μm×1μm表面粗糙度Ra为0.10 nm,光学带隙宽度为5.77 eV,拉曼E2g模式的半高宽为60.7 cm^(-1)。