Field plated 0.15μm GaN HEMTs for millimeter-wave application

SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.     

吉利河水库大坝渗流观测资料分析

对吉利河水库粘土心墙砂壳坝的渗流观测资料分析表明，该坝粘土心墙的防渗效果较好，但坝前铺盖没起到防渗作用，且截渗槽较薄弱，渗透比降较大，可能发生渗透破坏。     

850 nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器

设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。     

煤岩动力灾害声电协同监测技术及预警应用

为了提高煤岩动力灾害预测的准确性和可靠性,提出了声电协同监测技术,将电磁辐射和声发射进行融合,优势互补,开展了受载煤岩声电监测同步性测试及分析,开发了相应的监测系统及软件,并在采掘现场进行了监测及预警应用实践.结果表明:实验室和采掘现场不同尺度的煤岩声电信号同步性及相关性很好;采掘现场有煤岩动力灾害危险前,声发射和电磁辐射信号开始出现异常变化,且两者对危险响应的同步性很好,特别在临灾阶段,声、电信号在异常幅度和时域上的一致性变得更加明显;声电协同监测技术及系统,能够实现对冲击地压等动力灾害危险的实时监测及提前自动预警,与单方法相比,可靠性更高.     

阴山北麓缓坡丘陵不同植被类型下土壤水分空间分布特征-以武川县为例

近年来由于农耕面积的进一步扩大,阴山北麓植被破坏程度加深,水蚀风蚀沙化现象日益严重。本文以内蒙古阴山北麓为研究对象,研究了这一地区缓坡丘陵的土壤水分分布特征及不同植被类型下土壤水分时空分布,为这一地区的生态治理过程中,植被类型、种植模式的选择提供数字依据。结果表明:(1)后山地区与内地相反,缓坡丘陵土壤水分以阳坡为最高,阴坡次之,顶部为最低;(2)该地区的土壤水分分布受植被类型等的影响,表现出一定的空间变异特性。     

陀螺输出信号测试系统的设计

本文介绍了某型号陀螺检测系统的核心部分即基于PCI总线的脉冲计数板的设计.陀螺检测系统能够测量陀螺上电2s内的点火次数和每次点火的时间,在2.8～2.9s间连续测量陀螺6路输出脉冲每1ms时间段内的个数,在2.9s后以4ms为时间段连续采集陀螺的输出脉冲.脉冲计数板用2个计数器轮流采集1路输出脉冲,当一个计数器计数达4ms时,停止计数,马上切换为另一个计数器进行计数,两个计数器交替计数,这样既保证了采集的准确性,也兼顾了测量的连续性.脉冲计数板用可编程逻辑器件构建计时器、形成计数器的门控信号以及其他控制逻辑,并每4ms向PCI总线发送一次中断请求.该脉冲计数板测量频率的范围从0.01Hz～1.6MHz.     

MOCVD生长AlGaN/GaN/Si(111)异质结材料

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。     

GaN转移电子器件的性能与基本设计

基于GaN转移电子器件最基本的工作模式--畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了 GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Norit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.     

GaN宽带大功率MMIC开关

<正>GaN HEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件,其高的击穿电压、大的电流密度等特点,使其非常适合于微波大功率开关的研制。南京电子器件研究所利用76.2 mm(3英寸)SiC衬底GaNHEMT材料实现了DC～6 GHz 20 W、DC～12 GHz 15 w和DC～20 GHz 8 W宽带大功率系列开关的研制。其中DC～6 GHz 20 W GaN功率开关带内插入损耗<0.8 dD、隔离度>35 dB、P-1dB>20 W,DC～12 GHz15 W GaN功率开关带内插入损耗<1.4 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>15 W,DC-20 GHz 8 W GaN功率开关带内插入损耗<1.5 dB、隔离度>30 dB、P-1dB>8 W,三款功率开关的性能指标均为室温连续波下的测试结果,图1所示为它们在带内的插损和隔离度测试结果。该系列GaN宽带大功率开关的研制成功,充分展示了GaN HEMT在宽带微波大功率开关应用方面的潜力。     

冷鲜鸡胸肉主要腐败菌的分离及低温贮藏对货架期的影响

冷鲜鸡肉的货架期与其腐败菌的种类和数量密切相关。采用选择性培养基对冷鲜鸡胸肉中的主要腐败菌进行了分离,并对其低温条件下的货架期进行了研究。结果表明,假单胞菌、热死环丝菌、肠杆菌和乳酸菌是冷鲜鸡胸肉中的主要腐败菌;在低温贮藏过程中,前两种菌的数量呈明显上升趋势,并成为优势菌群。在2、4、8和10℃贮藏条件下,冷鲜鸡胸肉的货架期分别为14、10、5和3 d。