76.2mm Si基AlGaN/GaN HEMT

<正>南京电子器件研究所采用含有双AlGaN过渡层的材料结构在76.2 mm(3英寸)Si衬底上外延生长了厚度超过2μm的AlGaN/GaN HEMT材料(图1),材料表面光滑、无裂纹。通过外延材料结构和生长条     

碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808 nm大功率激光器

用 CCl4 作为掺杂剂 ,进行了掺碳 Al Ga As层的 LP-MOCVD生长 ,并对其掺杂特性进行了研究 ,分析了各生长参数对掺杂的影响 ;研制了碳掺杂 Al Ga As限制层 80 8nm大功率半导体激光器 ;激光器单面连续波输出功率大于 1 W,功率效率为 0 .7W/ A。     

水采面通风系统分析与改进措施

分析了水采矿井工作面通风系统存在的问题,并针对这些难题提出了改进措施,取得了良好效果。     

基于控制图的煤矿冲击地压电磁辐射预测

为了预测煤矿冲击地压的危险,利用控制图分析煤矿冲击地压电磁辐射数据和工作面煤体电磁辐射随时间的动态变化趋势及规律,并且根据数据点的落点区域分布及点的序列状态来预测未来发生冲击地压灾害的可能性.研究表明,当不少于6个连续数据点呈连续增长或降低趋势时或者电磁辐射数据点连续落在控制图中线下侧时,都可能在未来发生煤岩的剧烈破坏或能量释放.     

渐变型聚合物光纤研究进展

介绍了渐变型聚合物光纤(GIPOF)制作方法的进展，以及界面凝胶法制备的GIPOF的热稳定性全氟聚合物基GIPOF的最佳折射率分布及其色散性质，理论上全氟聚合物的损耗极限，差模衰减和模式耦合对GIPOF带宽的影响，最后介绍了一个综合各种影响因素的较完整的带宽预测模型。     

氧化对 GaN 基LED透明电极接触特性的影响

研究了热退火对InGaN/GaN 多量子阱LED的Ni/Au-p-GaN欧姆接触的影响.发现在空气和 N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/Au接触特性显示出可逆现象. Ni/Au-p-GaN接触的串联电阻在空气中随合金化时间逐渐减小,在随后的 N2 中的热退火后会使该串联电阻增加,但在空气中再次热退火能使接触特性得到恢复.同时对Ni/Au-p-GaN 接触在空气中合金化过程中的层反转的成因进行了讨论.     

全面加强经营管理促进工程良性运转

几年来，青岛市全面加强经营管理，促进工程良性运转；一是把除险加固，确保工程安全作为头等大事来抓，加大改革力度，千方百计增加投入，从１９９２年至今，全市共投入资金５４２７４万元，先后使５座中型水库摘掉了病险的帽子，提高了大沽河的行洪标准；二是实法规政策，坚持依法管水，规范管理行为，积极做好地方性法规，规章的出台工作，加强了对河道内建设项目的监督管理，确立了遇的收费项目和标准等项工作，三是转变机制，实     

青岛市小型水库经营管理探讨

青岛市小型水库共有456座,其中小(一)型水库72座,小(二)型水库394座。全市小型水库设计灌溉面积4.23万hm~2,实际灌溉面积2.08万hm~2,防洪保护面积8O8.3km~2,可养鱼水面1153.33hm~2,养鱼平均年产量432.5t。这些小型水库分布在青岛市的     

Design, fabrication and characterising of 100 W GaN HEMT for Ku-bandapplication

Ku-band GaN power transistor with output power over 100 W under the pulsed operation mode is presented. A high temperature AlN nucleation together with an Fe doped GaN buffer was introduced for the developed GaN HEMT. The AlGaN/GaN hetero-structure deposited on 3 inch SiC substrate exhibited a 2DEG hall mobility and density of ~2100 cm²/(V·s) and 1.0×10¹³ cm^-2, respectively, at room temperature. Dual field plates were introduced to the designed 0.25 μm GaN HEMT and the source connected field plate was optimized for minimizing the peak field plate near the drain side of the gate, while maintaining excellent power gain performance for Ku-band application. The load-pull measurement at 14 GHz showed a power density of 5.2 W/mm for the fabricated 400 μm gate periphery GaN HEMT operated at a drain bias of 28 V. A Ku-band internally matched GaN power transistor was developed with two 10.8 mm gate periphery GaN HEMT chips combined. The GaN power transistor exhibited an output power of 102 W at 13.3 GHz and 32 V operating voltage under pulsed operation mode with a pulse width of 100 μs and duty cycle of 10%. The associated power gain and power added efficiency were 9.2 dB and 48%, respectively. To the best of the authors'' knowledge, the PAE is the highest for Ku-band GaN power transistor with over 100 W output power.     

煤系岩石损伤破坏扰动效应试验研究

利用建立的煤岩体分级加载扰动试验系统,进行了煤系岩石典型单轴压缩实验、无扰动分级加载试验,以及分别施加不同速率及幅度的扰动载荷的分级加载试验,同步采集声发射（AE）信号,并利用加卸载响应比理论对AE信号进行分析．结果表明,扰动载荷能够使岩石的抗压强度显著降低,施加扰动载荷条件下9个岩样单轴抗压强度降低了20～60kN（约为单轴极限抗压强度的10％～25％）;扰动速率的变化（由650N／s增至1kN／s）较载荷大小的变化（由2．5kN增至5kN）对岩样强度影响明显;AE能量与加载路径对应良好,其加卸载响应比随载荷水平的增加存在先减小后增大的趋势．