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为了有效提高贴片式环形行波超声电机的机械输出性能,利于超声电机的小型化和微型化,研制了一种贴片式纵弯复合激励圆筒超声电机,电机利用d33工作模式和d31工作模式,由单臂变幅杆和一个环形换能器构成,且变幅杆和换能器采用一体结构.在对电机的工作原理进行分析的基础上,利用ANSYS软件完成了电机的设计和仿真,实现了两个振动模态的特征频率简并,并采用多普勒激光测振仪对样机进行了振动测试,测试结果与仿真结果基本一致.样机的机械输出特性测试表明,样机的最大转速为268r/rain,最大输出力矩为1.1N·m. 相似文献
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针对钛合金损伤在役监测需要,提出采用声发射实时动态监测技术。为了对钛合金中裂纹声发射源做特征分析,利用有限元分析方法,通过建立钛合金二维模型,采用3种力源函数对材料中不同类型、不同中心频率与不同传导距离的裂纹声发射源开展研究,并结合频散曲线,利用小波方法分析声发射源的特征频率与模态。结果表明:双极子源在平行X轴源方向产生的结果整体上非常清晰,在中低频范围与S0模态一致;但在Z轴源方向,对于特征频率为0~200 kHz时未能明显体现Lamb波产生波形的模态。单极子源1平行X轴源方向产生的结果在中高频高幅值区域最清晰,但在低频处的混叠,不易对模态进行识别;在Z轴源方向,A0模态识别最清晰。单极子源2平行X轴源方向产生的结果最精准地反映了中心频率,但对于S0模态识别的清晰度要弱于其他2种源的结果;Z轴源方向也同样反映出清晰度较弱。采用断铅实验的验证结果与仿真结果较一致,说明仿真结果的可靠性。 相似文献
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利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。 相似文献
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设计了一种新颖的伪垂直结构PNP晶体管。在锗硅BiCMOS工艺基础上,仅增加基区和集电区两道离子注入,以低成本工艺实现了优良的性能。晶体管电流增益在30以上,击穿电压大于7V,特征频率10GHz,满足高速电路设计的要求。 相似文献
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为了考察盐渍黄瓜的理化品质与电学参数的相关性,采用平行板电极法测量了黄瓜在不同盐渍时期于频率20~12 MHz下的复阻抗Z、相位角θ、并联等效电容Cp、导纳值Y,同时还测量了产品的7个理化指标。结果表明,黄瓜的并联等效电容Cp随盐渍时间的增加而增大,且随频率的增加而减小,并联等效电容Cp与频率的对数坐标呈良好的线性关系(R2=0.982)。在特征频率0.1kHz下,阻抗值Z与可溶性固形物质量分数、坚实度呈显著性正向相关,而与灰分、NaCl质量分数呈显著的负相关,相关系数分别为0.867、0.791,-0.874,-0.974;而相位角θ在0.1 MHz下与水分质量分数有极显著的相关性,相关系数为-0.848;并联等效电容Cp和导纳Y在0.1 kHz下可有效量化氨基酸总量和NaCl质量分数,相关系数分别为-0.848、0.886。研究结论可为腌渍黄瓜产品理化指标的快速检测提供参考。 相似文献