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利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制。 相似文献
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提出采用五区多重场限环FRM-FLRs(five-region multistep field limiting rings)终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管 SiC IGBT(silicon carbide insulated gate bipolar transistor)终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs(equally spaced field limiting rings)终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压;P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时,漏电流小于300 nA,并且栅源电压为-20 V, 集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。 相似文献
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田晓丽 《军民两用技术与产品》2016,(8)
Ku卫星通信网是卫星通信网的重要组成部分.本文通过理论分析相关Ku波段卫星业务接入技术,将同步转报业务、雷达数据、甚高频遥控信号接入Ku波段卫星网,实现以上业务在东北三省的互通. 相似文献
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A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors (RC-IGBT). Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect (including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect) and hysteresis effect perfectly. 相似文献
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