平罗县林业科技推广现状、存在问题及发展思路

本文介绍了平罗县林业技术推广体系现状,主要做法和经验,阐述了存在的问题,并提出了进一步发展的思路。     

工伤保险在社保制度中的排序变化及内涵分析

目前,我国的社保体系中有一项非常关键的组成,工伤保险。它的存在对于维护广大职工的安全有着非常关键的作用。不过在社保中,其位置目前出现了一些改动,只有切实分析其发生的原因,针对问题开展细致的分析,才可以确保我国的社保工作有序开展。文章重点分析了其含义以及具体的功效和其发展中面临的各项弊端,进而深入的探究其中蕴含的要素。     

关于高校校园礼仪文化建设问题的研究

校园礼仪文化建设对于学校的建设和发展以及学生综合素质的提高具有重要意义,本文从高校校园礼仪文化建设的重要意义出发,剖析校园礼仪文化建设的主要构成要素,提出了几条加强校园礼仪文化建设的途径,为高校校园礼仪文化建设提供借鉴和参考.     

仪器仪表判断民航通信线路故障实践分析

本文根据民航通信网络中的线路连接方式,分析仪器仪表的实际应用方法,包括万用表、电平表、接口测试盒、误码仪等,对仪器仪表的合理巧妙使用可快速判断故障点,提高线路的安全性和稳定性。     

扭转弹簧角矩特征的自动测量

本文介绍了一套由光栅编码器和扭矩传感器组成的扭转弹簧角矩特征的自动测量系统，描述了其结构原理和系统组成，并且给出了测量结果。     

火箭弹滑翔增程技术研究

描述了滑翔增程弹的基本原理和弹道特点，建立了滑翔增程弹的刚体外弹道数学模型，用编制的外弹道程序进行仿真计算，分析结果表明用滑翔的方法实现火箭弹增程目的是可行的；不同的起控时间影响增程率的大小，且存在最优点；增程效果显著，对于某原型弹，增程率可达43％。     

槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究

利用TCAD Sentaurus模拟仿真软件,研究分析了三种不同结构的槽栅型1 200 V SiC MOSFET单粒子响应特性,器件包括传统单沟槽MOSFET、双沟槽MOSFET和非对称沟槽MOSFET结构。仿真结果表明,双沟槽MOSFET的抗单粒子特性优于其它两种结构器件。通过分析可知,双沟槽MOSFET结构的优越性在于有较深的源极深槽结构,有助于快速收集单粒子碰撞过程产生的载流子,从而缓解大量载流子聚集带来的内部电热集中,相比其它两种结构能有效抑制引起单粒子烧毁的反馈机制。     

10kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现

提出采用五区多重场限环FRM-FLRs（five-region multistep field limiting rings）终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管 SiC IGBT（silicon carbide insulated gate bipolar transistor）终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs（equally spaced field limiting rings）终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压;P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时,漏电流小于300 nA,并且栅源电压为-20 V, 集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。     

民航Ku波段卫星网业务接入方法研究

Ku卫星通信网是卫星通信网的重要组成部分.本文通过理论分析相关Ku波段卫星业务接入技术,将同步转报业务、雷达数据、甚高频遥控信号接入Ku波段卫星网,实现以上业务在东北三省的互通.