洪茂椿院士主持的光功能纳米陶瓷材料研究达国际先进水平

中国科学院福建物构所洪茂椿院士主持的国家科技攻关计划“光功能纳米陶瓷材料研究”项目目前通过成果鉴定。该项目整体达到了国际先进水平，部分材料的发光量子效率和发光寿命等性能指标达到国际领先水平。     

半导体的“闪光面”

半导体工业中的绝大多数活动都是围绕着硅开展的；但也没有忽视其它的半导体。美国西北大学量子器件中心（CQD）主任MRazeghi教授指出：“化合物半导体类似于食物中的盐”，它们中的每一种材料都具有其它材料所不具备的重要性。[第一段]     

PPG计划重组Wigan的玻璃纤维工厂，以更好地满足欧洲市场需求

2006年10月30日，星期一，PPG工业公司位于英国Wigan的玻璃纤维工厂拟对其制造工序和工作人员进行改革，重点专注单股直接纱的欧洲市场。拟议中的重组包括精简工厂现场的制造工序，提高效率，同时在2007年3月底削减约100个职位。据Wigan工厂经理Steve Verdin介绍，这次改革的目的是使Wigan工厂在欧洲市场更具有竞争力。     

NREL利用硅纳米结晶确认MEG现象

美国国家可再生能源实验室（NREL）在美国Innovalight公司的协助下，证实“通过硅纳米结晶（量子点，Quantuin Dot）可以高效生成多重激子（Multiple Exciton Generation，MEG）”。MEG可将元，2006年产值应在1．12亿美元，预计到2010年将达到5亿美元。同时，我国铁硅铝磁粉芯的产业规模还很小，2006年的产值大约不到500万元人民币!     

两个重组质粒在快生型大豆根瘤菌中的稳定性的比较

将两个复制子相同的重组质粒导入快生型大豆根瘤菌中，考察了得到的转移接合子在培养和共生条件下的稳定性。发现带有质粒ＲＫ２ ｐａｒ基因的重组质粒ｐＴ２ＴＸ３Ｋ在快生型大豆根瘤菌中无论在培养还是共生条件下都可以稳定存在，而不带有该基因的重组质粒ｐＣＫ３在两种条件下都有一定程度的丢失。     

短周期超晶格AlP／GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁

介绍了间接跃迁的半导体ＡｌＰ与ＧａＰ形成的超晶格，由于零折叠效应，实现了能带由间接带隙向直接带隙的转变，从而增加了带间的光跃迁几率，并推导了该几率的表达式。     

小垂直发散角大光腔980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器

通过采用经过优化的新型大光腔结构,脊形波导980nm单模InGaAs/GaAs/AlGaAs多量子阱半导体激光器在保持大功率光输出的同时获得了较小的垂直发散角.结果表明波导中的光功率密度可以降低,获得了大于400mW、斜率效率0.89W/A的输出光功率,垂直方向远场发散角也降低到23°.     

自发参量下转换制备双光子纠缠态在量子信息学中的应用

叙述了自发参量下转换制备双光子纠缠态技术的发展历程、技术原理以及在量子信息学中的应用，并介绍了国内这一领域的进展。     

湖州矿建——发挥优势 重组优势 再创优势

￥湖州市矿产建材管理局＠姚新民湖州市位于浙江北部，地处长江三角洲中心地带，全市现有人口２５０万，“五山一水四分田”，构筑了湖州国土资源的基本特色。据地质勘查，我市境内蕴藏着较为丰富的非金属矿产资源，目前已发现矿产６０余种，探明储量的有２６种，开采的有１８种...     

张应变,长波长In1—xGaxAsyP2—y／InP量子阱材料的光荧光谱实验室

给出了具有二三个量是的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系，理论计算和实测结果基本一致。