0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性

通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.     

粘弹性土层中竖向振动放大系数的研究

从Biot理论和孔隙流体均一性的概念出发,研究了单层土中饱和度、土的性质、土层厚度和加载频率对竖向振动放大系数函数的影响,得出了在不同条件下的数值解。给出了数值算例并进一步研究了饱和度、粘弹性系数、土层厚度以及频率对放大系数的影响。从研究结果中可以看出,饱和度、粘弹性系数、土层厚度等对粘弹性土层中竖向振动的放大系数影响程度各不相同,有一定的工程意义。     

绿色、安全、智能化卷烟包装的研究进展

目的 在数字化发展的大背景下,为全面推进绿色包装、安全包装、智能包装一体化发展,对我国卷烟包装的发展现状进行了深入探究。方法 一方面,总结分析卷烟包装材料和卷烟纸技术,以及色谱、光谱等检测手段在评估包装材料的环保性能和安全性能上的应用,提供绿色、安全化的策略研究。另一方面,探究数字化技术在自动化生产、真伪卷烟包装鉴别、产地溯源、质量综合评价等方面的应用。结论 数字化技术的应用是三位一体的卷烟包装,尤其是“智能包装”发展的必然趋势,将推动烟草包装行业向更深、更广的维度发展。     

UIO-66-NH_2渗透汽化复合膜制备及乙醇脱水

金属有机骨架材料(MOFs)改性高分子渗透汽化复合膜是目前的研究热点.本文采用水热合成法制备UIO-66-NH_2,利用旋涂法在改性的聚丙烯腈(PAN)底膜表面涂覆海藻酸钠(SA)、聚乙烯醇(PVA)和UIO-66-NH_2混合液制备活性分离层,采用顺丁烯二酸交联分离层制备SA-PVA-MOF/PAN渗透汽化复合膜.考察了SA、PVA和UIO-66-NH_2浓度对复合膜形貌结构、亲水性能和醇水分离效果的影响.研究结果表明,复合膜分离层含质量分数1%SA、4%PVA和0.8%UIO-66-NH_2时,75℃条件下复合膜对质量分数85%乙醇水溶液的渗透通量最高可达905 g/(m~2·h),此时分离因子为308.     

带有原位生长SiNx绝缘层的AlN/GaN毫米波高效率MIS-HEMT器件(英文)

本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长原位SiNx栅介质制备了用于Ka波段高功率毫米波应用的AlN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)。原位生长SiN_x栅介质显著抑制了栅反向漏电、栅介质/AlN界面态密度和电流坍塌。所研制的MIS HEMTs在V_GS=2 V时最大饱和输出电流为2.2 A/mm,峰值跨导为509 m S/mm,在V_GS=-30 V时肖特基栅漏电流为4.7×10^-6 A/mm。采用0.15μm T形栅技术,获得98 GHz的f_T和165 GHz的f_MAX。大信号测量表明,在连续波模式下,漏极电压V_DS=8 V时,MIS HEMT在40 GHz下输出功率密度2.3 W/mm,45.2%的功率附加效率(PAE),而当V_DS增加到15 V时,功率密度提升到5.2 W/mm,PAE为42.2%。     

《财富》全球500强公布国家电网公司位居第46位

美国《财富》杂志7月12日公布了2004年度全球企业500强排名,我国有16家公司进入500强(其中2家港台公司)。由国务院国资委监管的中央企业有8家入围,其排名及营业额分别为:第46名国家电网公司,583.48亿美元;第52名中石油,563.84亿美元;第54名中石化,550.62亿美元;第242名中国     

深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应

选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.     

深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究

基于流体动力学能量输运模型，首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用，接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响，同时与相应平面器件的特性进行了对比。研究结果表明，槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应，且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高，阈值电压升高，对短沟道效应的抑制作用增强，但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小。最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

纤锌矿GaN低场电子迁移率解析模型

在GaAs低场电子迁移率解析模型的基础上得到了纤锌矿GaN低场电子迁移率的解析模型,该模型考虑了杂质浓度、温度和杂质补偿率对低场电子迁移率的影响.模拟结果和测量数据的比较表明该模型在10 16～10 2 0 cm-3的电子浓度、30～80 0K的温度和0～0 9的杂质补偿率范围内具有较好的一致性.该电子迁移率解析模型对于GaN器件的数值模拟和器件仿真设计具有很强的实用意义.