球化率及碳化物形貌对C35E钢精冲质量的影响

通过不同的球化退火工艺获得了不同球化率及碳化物形貌的C35E钢,研究了球化率和碳化物形貌对其精冲质量的影响。C35E钢的最佳球化退火保温温度为720,适当的温度下延长保温时间有助于提高其球化率。球化率越高,碳化物呈细小均匀分布,精冲件的冲裁质量越好。对于球化完全但碳化物呈团块状或带状分布的材料,其冲裁面上依然会出现断裂带。     

Nb5+掺杂对(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4O12陶瓷结构与电性能的影响

该文利用固相反应法制备了(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4-xNbxO12 (x=0,0.01,0.03,0.05,0.07,0.10,0.15,0.20， 摩尔分数)陶瓷。借助X线衍射仪及扫描电子显微镜研究了Nb5+的摩尔分数对(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4O12陶瓷的相结构及表面微观形貌的影响，借助高低温介电测试系统和阻抗测试仪获得了(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4-xNbxO12陶瓷电性能变化规律。结果表明，各组分(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4-xNbxO12陶瓷均为单相立方钙钛矿结构；Nb5+摩尔分数的增加可抑制(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4-xNbxO12陶瓷晶粒的生长并消除其晶粒异常长大；适量掺杂 Nb+能够有效提高(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4-xNbxO12陶瓷的晶界电阻，从而降低其介电损耗，且可提高(Ca0.97Ba0.03)Cu3Ti4-xNbxO12陶瓷相对介电常数的温度稳定性。     

电子束辐照对PA6/ABS共混合金结构与性能的影响

采用熔融共混方法制备PA6为基体相、ABS为分散相的共混合金。并利用电子束辐照加工技术改性PA6/ABS共混合金,研究了辐照剂量对PA6/ABS共混合金结构与性能的影响。结果表明:在一定的辐照剂量范围内,随着辐照剂量的增加,PA6/ABS共混合金的界面相容性逐渐得到有效的改善;力学强度也随着辐照剂量的增加呈现增加的趋势,在辐照剂量达到30 kGy时,具有较好相容性的PA6/ABS共混合金的综合力学性能最优,拉伸强度26.8 MPa,弯曲强度34.3 MPa,冲击强度13.7 kJ/m~2;电子束辐照对PA6/ABS共混合金的晶型结构无明显的影响,但熔融结晶能力一定程度上受到辐照的破坏。通过电子束辐照加工,解决了半晶PA6和非晶ABS共混合金制备过程中相容性差的难题,是高性能高分子共混合金制备与结构性能调控的有效途径之一。     

过渡金属元素Fe位掺杂对CuFeO_2体系微结构及电磁性能的影响

采用固相反应法制备CuFe_(1-)xMxO_2(M=Ti、Zr、Hf,x=0,0.015,0.03)陶瓷样品,研究了过渡金属元素掺杂对其晶体结构、微观形貌和电磁性能的影响。结果表明,三种过渡金属元素掺杂均未改变CuFeO_2体系的六方晶格铜铁矿结构,Ti掺杂系列样品有少量微弱的杂峰;不同掺杂体系样品形貌有明显的差异,且掺杂浓度对样品的形貌有较大的影响;介电性能结果表明,所有实验样品均展现出巨介电性(> 10~3),且不同过渡金属元素和掺杂浓度对介电性能影响不同。磁性能结果表明,Zr掺杂破坏了低温下CuFeO_2反铁磁相的稳定性,使磁转变温度T_(N2)向低温区域发生了偏移。基于实验结果对掺杂CuFeO_2体系的微结构和电磁性能的关联规律进行了探索。     

相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌

本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm。随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm。热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用。该模拟计算方式对设计缓冲层结构有很大的帮助,模拟计算的结果可以与实验相比对。     

基于断口形貌商用硫系玻璃断裂机理探究

利用三点弯曲法,借助断口形貌显微观察,表征了湖北新华光信息材料有限公司正在生产的5种商用硫系玻璃抗折强度和断口形貌,并讨论了断裂机理。结果表明,断口的具体形貌一般包括4个部分:镜面区、雾状区、裂纹区和沃纳线区;镜面区一般位于张力面中轴线的两端或中部。半径类似时,随着镜面区由张力面中轴线中部移向两端时,试样抗折强度下降;位置相似时,试样的抗折强度随镜面区半径减小而增大;镜面区位置和半径均接近时,试样的抗折强度随平均限制数增加而增大。