阳极键合电流模型的实验研究

随着近年来MEMS-CAD的迅速发展,阳极键合技术作为MEMS领域的基础工艺,其模拟仿真受到了重视.本文分析现有的阳极键合电流模型产生偏差的原因,在实验基础上,给出一组定量模拟平面电极键合电流的公式.结合点电极键合的扩展模型,提出点电极键合电流的计算方法.实验证明这种方法给出的模拟公式实际反映了点电极键合电流的变化规律.     

一种用于微加速度计的低输入电容运算放大器

采用0.5μm CMOS工艺设计了一种低输入电容运算放大器。该运算放大器通过采用正反馈回路消除运算放大器输入管的密勒电容来实现低输入电容。分析了寄生电容对加速度计灵敏度的影响,并提出了一种采用低输入电容运算放大器的开环加速度计接口电路实现方法。结果表明:采用低输入电容运算放大器能够有效地提高加速度计灵敏度。     

微泵膜片在静电驱动下的计算机模拟

对微泵膜片在静电力驱动下产生的形变和由此引起的微泵腔体体积的变化进行了计算机模拟分析,得出了膜片厚度,形状和静电驱动电压对微泵腔体体积变化的影响,以及膜片振动的固有频率与膜片厚度之间关系。研究结果为微泵结构的设计优化提供了依据。     

Reliability Investigation of Semiconductor Coolers

INTRODUCTION0~nocSetheconductorcoolershavebeeninproductionforfourdecades.Withtheprogressofscienceandtechnology,theaPPlicationofsemiconductorcoolershasbeengraduallyi.c..i.g[']becauseoftheiradvantagesofsmallsize,lightweight,nomechanicalvibration,nowearandnonoise,noeffectofgravityandnopollution;fultllermore,adjustablecoolingrateandeasytemperatureandheattransfercontrolbynotonlycoolingbutalsoheating.SincethefirstinternationalThermoelectricityConferencein1976,15meetingshavebeenheld,andnewresea…     

集成CMOS四象限模拟乘法器

给出了一种CMOS型四象限模拟乘法器,该乘法器采用有源衰减器结合吉尔伯特单元结构.利用基于CSMC的0.6μm n阱2p2m工艺SPICE BSIM3V3 MOS模型(level=49)进行仿真,采用单电源5V电压供电.利用HSPICE仿真并给出了仿真的结果及版图实现.     

加速度计模拟输出的Σ-Δ压频转换新方法

设计了一种基于∑-△调制器技术的新型电压一频率转换器,用于将微加速度计的模拟电压信号转换为相应的频率输出信号．该电路采用中国电子科技集团24所的4μmP阱标准CMOS工艺参数进行模拟仿真．在10V电源电压下,时钟频率为1．04MHz,其输入电压范围为1．5V～8．5V,输出频率范围为40kHz-533kHz,转换灵敏度约为134kHz／V,非线性度不大于0．08％．仿真结果证明,其对于恒定输入电压具有稳定的输出频率以及正负两种转换特性,因此可广泛应用于加速度计等矢量传感器的模数转换接口电路．     

加速度计模拟输出的∑-△压频转换新方法

设计了一种基于∑-△调制器技术的新型电压一频率转换器,用于将微加速度计的模拟电压信号转换为相应的频率输出信号．该电路采用中国电子科技集团24所的4μmP阱标准CMOS工艺参数进行模拟仿真．在10V电源电压下,时钟频率为1．04MHz,其输入电压范围为1．5V～8．5V,输出频率范围为40kHz-533kHz,转换灵敏度约为134kHz／V,非线性度不大于0．08％．仿真结果证明,其对于恒定输入电压具有稳定的输出频率以及正负两种转换特性,因此可广泛应用于加速度计等矢量传感器的模数转换接口电路．     

化学还原法制备铂及铂合金催化剂及其性能

采用混合水溶液浸渍,硼氢化钠还原的方法制备了微型直接甲醇燃料电池用电催化剂,包括碳载铂、碳载铂基合金电催化剂.XRD、SEM、EDX测试结果表明催化剂的粒度达纳米级,且分散性好、原子摩尔配比合理.将Pt/C、Pt合金/C分别作为电池的阴极和阳极电催化剂,通过电池的极化曲线和功率密度曲线筛选出最佳的催化剂组成.在室温下,甲醇浓度为2mol/L时,阴极采用30wt%Pt的Pt/C,阳极采用n(Pt)∶n(Ru)∶n(Ir)∶n(Mo) = 2∶1∶2∶3的PtRuIrMo/C电催化剂,其电池的性能最好.     

带温度补偿的低温漂石英微机械陀螺接口ASIC设计

本文通过分析石英陀螺的工作原理,设计了闭环自激驱动、低噪声相敏解调原理的接口电路,并研究了驱动力耦合对零位输出造成的影响,以提高石英陀螺的环境适应性。通过研究传感器敏感表头的空气阻尼和谐振频率等方面的温度特性,得出温度对驱动力幅值的影响。进而提出通过驱动力幅值进行温度补偿的方法。对接口电路温度特性以及对陀螺零位输出的影响进行了分析,设计了全温区带宽恒定的运算放大器单元,抑制由于检测信号中高次谐波分量比例变化产生的温度漂移,并在高压N阱CMOS工艺下流片,实现低温漂接口ASIC。在-45℃~85℃的温度范围内对石英陀螺整机进行零位温度循环测试,利用驱动力幅值对零位输出进行三阶拟合补偿,补偿后全温零位温度漂移小于20°/hr(1σ),短期稳定性为5°/hr,输出噪声为0.001°/s/√Hz。     

MEMS兼容PZT压电厚膜的性能测试

丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的Ag/PZT/SiO2/n+Si结构复合压电厚膜进行了直接测试,结果表明PZT压电厚膜的压电常数d31可达70×10-12m/V,以此方法制备的压电厚膜适合作为MEMS执行器的微驱动元件.