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1.
对一种被动式微型直接甲醇燃料电池进行了设计、制作及测试.利用微模具成型工艺,以ABS为基底材料制作了电池双极端板.采用200 μm厚的不锈钢薄片作为集电极,利用激光切割技术制作进料通道,并在集电极两侧溅射金层以防止电化学腐蚀.有效面积为0.49 cm2的膜电极则采用催化剂覆盖电解质膜的方法制备而成.测试结果表明,室温环境下(25℃)该被动式微型直接甲醇燃料电池在甲醇浓度为6 mol/L时最大功率密度可达22.14 mW/cm2.该性能对于被动式直接甲醇燃料电池的便携式高性能应用具有较大意义. 相似文献
2.
3.
介绍了物联网的概念、技术构架和该产业国内外发展现状,探讨了黑龙江省物联网产业发展的原则、途径和前景,提出了本省发展的重点方向、原则和步骤的建议. 相似文献
4.
基于SOG(Silicon on Glass)工艺设计了一种新型电容式加速度传感器结构,分析了该结构的检测和反馈原理.为了提高闭环微加速度传感器的性能,更好地实现闭环控制调节作用,对传感器系统进行了研究.在反馈系统中引入PID控制器,并建立了SIMLINK系统模型,分析了系统闭环传递函数以及控制参数对传感器系统的影响.... 相似文献
5.
膜厚对多晶硅纳米薄膜压阻温度特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
重掺杂多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻温度特性,用它制作高温压阻式传感器灵敏度高、成本低,具有广阔的应用前景.为优化多晶硅纳米薄膜的压阻温度特性,本文采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术制作了不同膜厚(30~250 nm)的多晶硅薄膜,分别测试了应变系数、薄膜电阻率与工作温度的关系.利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射实验(XRD)对薄膜进行了表征,在此基础上结合隧道压阻模型分析了膜厚对多晶硅薄膜压阻温度特性的影响,结果表明,对于淀积温度620℃、掺杂浓度2.3×1020 cm-3的多晶硅纳米薄膜,膜厚的最佳值在80 nm厚左右. 相似文献
6.
7.
A new low noise interface circuit for detecting weak current of micro-sensors is designed.By using the transimpedance amplifier to substitute the charge amplifier,the closed-loop circuit can avoid the phase error of the charge amplifier.Therefore,the phase compensation devices will be cancelled,because there is no phase transformation through the transimpedance amplifier.As well as,by using CCCII devices to implement the high value feedback resistor of the impedance amplifier,the noise of the I-V transformation devices is reduced,comparing with the passive resistor.The floating resistor is easy to be integrated into chips,making the integration of the interface circuit of the intelligent sensors increase.Through the simulation,the phase error of the charge amplifier is almost 9°at 2 kHz and it changes with the working frequency of the micro-sensors making the phase compensation not easy.The value of the floating resistor is 250 kΩ where the bias current is 50 μA.The noise of the active resistor is 0.037 fV2/Hz,comparing with the noise of the passive resistor,which is 4.14 fV2/Hz. 相似文献
8.
9.
平行板电容是大多数MEMS传感器件的核心检测结构.考虑随着检测电极间距的减小,电极表面粗糙度会对其空间电场分布产生影响,本文研究了电极表面粗糙度对检测电容性能的影响.建立了单粗糙电极的平行板电容器模型,并采用有限元法分析了表面粗糙度和边缘效应对静电场分布的影响;针对粗糙表面增大了电极存储电荷的能力,对粗糙表面的平行板电容器计算公式进行了修正.采用原子力显微镜对不同粗糙度的样本进行了表征,实验和仿真结果表明:减小两电极之间的距离,增大检测电极的表面粗糙度,可以显著增大检测电容.当检测电极的粗糙度从0.063 nm增加到60 nm时,平行板电容器电容值增大了9.0%.结论显示,增大MEMS电容器两电极的表面粗糙度,可以有效地增大MEMS器件的检测灵敏度. 相似文献
10.