PEALD原位掺杂制备纳米TiO2-xNx光催化剂

采用等离子体增强型原子层沉积(PEALD)系统原位掺杂制备了TiO_2-xN_x光催化剂。利用光电子能谱(XPS)、高分辨率透射电镜(HRTEM)、光致发光(PL)光谱和紫外–可见光(UV-Vis)光谱对催化剂进行了表征, 并研究了TiO_2-xN_x纳米薄膜在可见光照射下水接触角的变化和催化降解亚甲基橙(MO)溶液的性能。结果表明, 等离子体功率变化可以改变掺入氮原子的结构, 在功率为50 W时主要形成替换式氮原子, 含量约为1.22at%, 晶体为锐钛矿(101)型。结构无明显缺陷, 且掺杂后TiO_2-xN_x薄膜光生电子–空穴对复合率低, 有利于光催化效率的提高。该方法解决了传统ALD工艺制备TiO_2-xN_x光催化剂时容易形成氧空位的问题, 实现了TiO2-xNx纳米材料的可见光(λ<800 nm)吸收和可见光光催化性能。     

一种减少VDMOS寄生电容的新结构

分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能.     

LCoS平板微显示驱动技术研究

研究了硅基液晶(LCoS)微显示驱动电路的制备工艺、电路设计、版图绘制以及显示功能测试.采用化学机械抛光(CMP)工艺实现硅片表面平坦化方案,满足了LCoS微显示对表面平整度的要求;合理布设两层金属布线,巧妙实现遮光作用;利用剥离的方法制备Ag反射电极,解决了Ag工艺与标准CMOS集成电路工艺的兼容问题;在硅基片上制作出U形PAD,通过导电胶与公共电极ITO相接.电路设计中采用了对台阶电平计数的办法实现DA转换的功能,既降低了电路设计难度,又方便测试过程中对灰度电平的调整.制备出LCoS微显示驱动面板,实现了QVGA分辨率、16级灰度LCoS、帧频50 HZ的视频显示.     

视频交互式多媒体业务研究进展

 随着互联网和移动通信网的逐渐普及,视频交互式多媒体业务迅速发展,带来了庞大的市场和产业价值,成为未来通信业务新的增长点。本文首先介绍了国内外视频交互式多媒体业务的开展情况,然后,从共性技术、基础标准、系统标准和系统平台四个方面详细介绍了视频交互式多媒体业务的技术体系。近年来视频交互式多媒体业务技术变化日新月异,新技术层出不穷,极大地提高了业务的服务质量。本文最后着重介绍了视频交互式多媒体业务中的虚拟现实技术、视频转码技术、多媒体检索技术及基于视觉特性的高效视频编码技术等方面的最新技术进展及其给视频交互式多媒体业务所带来的变化。     

一种宽幅喷印机的字车伺服电机控制方案的研究

以飞思卡尔S12单片机为控制核心,构建新型稀土永磁无刷直流电机控制系统,提出了系统的硬件构成及软件设计方案。系统省去了电机专用控制芯片,结构简单,对无刷直流电机控制效率高;采用光耦器件,保证了信号的传输稳定与正确。电机的速度控制采用了增量式PID算法,并采用电流、速度双闭环控制,使电机的运行更加平稳。实验证明,该控制方案应用于大型彩色喷印机的字车伺服控制系统后,提高了无刷直流电机的启动与制动响应速度,增强了喷印过程中电机的恒速及平稳性．且鲁棒性好。     

100V高压CMOS工艺关键技术的研究

提出了一种新的双栅氧(dual gate oxide,DGO)工艺,有效提高了薄栅氧器件与厚栅氧器件的工艺兼容性,同时提高了高低压器件性能的稳定性.在中国科学院微电子研究所0.8μm n阱标准CMOS工艺基础上设计出高低压兼容的100V高压工艺流程,并流片成功.实验结果表明,高压n管和高压p管的关态击穿电压分别为168和-158V,可以在100V高压下安全工作.     

E1080合成式杜比解码器影音前级原理与使用

<正> 杜比解码器影音前级是构成家庭影院必不可少的核心单元。在目前的各种档次产品中,CYMET(绅士)DSPE1080发烧级合成式杜比解码器影音前级,性能优良,用得比较广泛。其主要技术指标如下:输出功率为30W×2(8Ω负载下),线路输出电平为2Vrms(600Ω),分离度为35dB(在1kHz基准点测试),频率响应为18～20000Hz3dB,失真率为0.1％(20～20000Hz),信噪比为85dB(BYPASS位置),输入阻抗为:音频47kΩ,视频75Ω。     

磁存储器驱动电路界面平坦化研究

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.     

高压n LDMOS漂移区的设计研究

讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响，并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中，远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。分析了矩形版图结构的LDMOS器件中，远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响。运用RESURF技术对于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化。研制出耐压170V的nLDMOSFET。并通过试验结果证明了分析的正确性。     

从废弃镍氢电池负极板中回收稀土金属

通过废弃镍氢电池负极板在稀硫酸中的浸出实验,考察了稀硫酸浓度、稀硫酸体积与废弃镍氢电池负极板质量比（液固比）、浸出时间、搅拌转速等因素对稀土金属（RE）浸出率的影响。通过正交实验确定的最佳浸出条件和浸出率。基于RE的硫酸盐和无水硫酸钠生成RE复盐沉淀的原理,向稀硫酸浸出废弃镍氢电池负极板后得到的硫酸盐溶液中加入无水硫酸钠,得到RE复盐沉淀,通过正交实验确定的最佳沉淀条件与RE回收率。用X射线衍射仪对RE复盐进行了表征。