前向神经网络合理隐含层结点个数估计

合理选择隐含层神经元个数是前向神经网络构造中的一个关键问题,对网络的泛化能力、训练速度等都具有重要的影响。该文提出了基于隐含层神经元输出之间的相关分析而进行隐含层神经元合理个数的估计方法,首先建立了基于网络输出和基于网络输出对网络各输入一阶偏导数的隐含层各神经元输出之间的相关程度度量,进而给出了基于模糊等价关系分析的神经元合理个数估计方法。具体应用结果证明了所提出方法的有效性。     

硅薄膜太阳电池制备技术发展概况

薄膜太阳电池是缓解能源危机的新型光伏器件。作为应用最为广泛的硅基薄膜太阳电池,本文主要总结硅薄膜电池的制备工艺和制备方法,讨论了不同陷光结构对太阳电池性能的影响,介绍了最新高效太阳电池的制备方法,并展望硅薄膜太阳电池的发展趋势。     

面向对象的无损检测工艺设计专家系统

无损检测工艺确定在压力容器制造中占有重要地位,基于面向对象技术建立X射线、超声波、磁粉、渗透等检测技术的综合无损检测工艺专家系统,系统由主控模块、规范设计模块、监测管理模块以及知识库等组成。开发结果表明,采用面向对象技术不仅保证了系统运行的有效性,同时也显著提高了系统开发效率和系统可维护性和扩充性。     

基于热点文件下载的网络舆情信息挖掘方法研究

网络信息量的逐年增长,使得获取网络敏感的舆情信息并做出相应的监控处理变得十分重要,网络舆情信息挖掘技术研究十分活跃。本文介绍舆情挖掘步骤及其核心算法,分析互联网热点文件下载曲线与网络舆情发展曲线的关联,通过关联关系对互联网文件下载数据进行信息挖掘,从中找出是否存在符合曲线发展规律的热点文件,最终将文件的主题与当时的网络舆情信息进行比对,对结果进行验证,为网络舆情的监测提出了一种新的方法。     

基于热光伏电池GaSb多晶薄膜的可控生长

采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向, 这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104 cm-1以上, 适用于热光伏薄膜太阳电池中.     

基于支持向量数据描述的高效异常数据检测算法

为了解决大规模数据中的异常检测问题,提出了基于支持向量数据描述(SVDD)的高效离群数据检测算法。该算法的核心思想为:首先利用SVDD获得包含单类数据的最小球形边界,然后通过该边界对未知样本数据进行分类,并利用最小闭包球算法对SVDD分类器进行优化求解。在UCI机器学习数据集和入侵检测数据集上将该算法与其他离群数据检测算法进行了实验比较,结果表明,该算法不仅获得了更高的检测准确率,而且具有较低的运行时间。     

计算机网络课程4C能力培养的教学实践

分析高素质信息工程人才素质与能力要求,提出"批判、创新、自信、沟通"4C能力培养教学模式,结合计算机网络课程教学方法改革实践,剖析4C能力培养实施方案。     

探索节地节能的新思路——北京门头沟区南辛房村新农宅样板房设计经验

介绍了北京一处新农宅设计经验,从调查实地现状出发,做出了符合当地使用的一组节地节能的新型农宅设计,得到北京市规划委员会的认可,其样板房方案设计获北京市方案设计优秀奖.该设计中的一些新技术措施如屋面太阳能利用与建筑的一体化可供新农村住宅设计参考.     

a-Si太阳电池p层微晶结构的研究

用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n(H2)/n(SiH4)=100,n(H2)/n(SiH4)=10]作为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备出掺硼的非晶氢化硅薄膜。通过拉曼光谱、激活能测试、暗电导测试表明,高氢气稀释浓度的硅烷在一定的掺杂比时[n(B2H6)/n(SiH4)=1%],沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构,暗电导率可达10-1Ω-1·cm-1,激活能可达0.2eV左右,接着又用μC Si∶H与传统所用的a SiC∶H分别做电池的p层,比较了二者的I V特征,发现μC Si∶H作为电池的p层有更大的优越性。     

GaAs霍尔传感器及其放大器温漂补偿的研究

本文研究了ＧａＡｓ霍尔传感器及其放大器的温漂的相关因素，提出了整体补偿思想，实验结果令人满意，最大相对误差小于０．１％