碳掺杂β-FeSi2薄膜的电子显微学研究

本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.     

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片 (10 0 )上制备Zn薄膜 ,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜。对在硅片上制备的Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜。研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响。结果表明 :氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大 ,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分     

纳米4-H碳化硅薄膜的掺杂现象

对纳米晶SiC薄膜进行了P和B的掺杂,B掺杂效率比P高,其暗电导预前因子与激活能遵守Meyer-Neldel规则,并有反转Meyer-Neldel规则出现.掺杂效率比非晶态碳化硅薄膜高是纳米碳化硅薄膜的特点之一.非晶态中的隧穿和边界透射对输运有一定贡献.     

光放大器及其应用技术

光放大器是长距离大容量光纤通信线路的重要器件，目前应用的器件主要是掺杂稀土元素的光放大器，文章详细阐述了该器件的原理，特性和应用技术，同时还讨论了非硅衬底的非硅纤放大器。此外，对于半导体光放大器和喇曼光放大器的主要问题也作了说明。     

氢化非晶硅磷掺杂工艺条件的研究

本文对氧化非晶硅磷掺杂的工艺条件进行了研究，得出掺磷氢化非晶硅的电导率随衬底温度、气体流量、气体压力、射频功率、淀积时间的变化关系，为非晶硅的有效掺杂和器件研究提供了依据。     

国外离子注入机发展动态

国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展，为适应中００、０．５μｍ工艺的需求，国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机，现将其现状介绍如下：新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于０．５度。２００ｍｍ晶片内注入...     

低温硅双极晶体管基区优化设计

常规双极晶体管在７７Ｋ下电流增益和频率性能都严重退化。本文首先分析了低温双极晶体管基区Ｇｕｍｍｅｌ数，基区方块电阻，渡越时间和穿通电压等参数与温度及基区掺杂的关系，然后讨论了低温双极器件基区的优化设计问题。     

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及性能的影响

本文探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－ＴｉＯ＿２系材料的改性作用和对其微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。     

日立化成工业开发出自活性氧化铈粒子CMP浆液

日本日立化学工业公司开发出一种半导体器件化学机械研磨（CMP）时使用的自活性氧化铈粒子CMP浆液，已取得基本专利。并正在美国、欧洲和亚洲各国申请专利。     

钛基Ru-La-Ti涂层阳极的电催化性能

利用热分解法制备了不同La含量的钛基Ru-La-Ti涂层阳极，并研究了所制备涂层的电催化性能。结果表明，在Ru-Ti涂层阳极中掺杂稀土元素La可以提高涂层阳极的电催化活性，且La的掺杂量存在一个最佳范围(La的摩尔分数O．2)。涂层阳极电催化活性提高的原因在于La的引入可以提高涂层的有效活性表面积。