首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   325篇
  免费   16篇
  国内免费   7篇
电工技术   13篇
综合类   13篇
化学工业   11篇
金属工艺   8篇
机械仪表   20篇
建筑科学   26篇
矿业工程   7篇
能源动力   6篇
轻工业   10篇
水利工程   4篇
石油天然气   15篇
武器工业   5篇
无线电   43篇
一般工业技术   9篇
冶金工业   10篇
自动化技术   148篇
  2024年   1篇
  2023年   3篇
  2022年   12篇
  2021年   5篇
  2020年   9篇
  2019年   11篇
  2018年   14篇
  2017年   4篇
  2016年   7篇
  2015年   9篇
  2014年   13篇
  2013年   15篇
  2012年   15篇
  2011年   12篇
  2010年   11篇
  2009年   18篇
  2008年   16篇
  2007年   7篇
  2006年   7篇
  2004年   38篇
  2003年   42篇
  2002年   40篇
  2001年   8篇
  2000年   2篇
  1999年   5篇
  1998年   2篇
  1997年   7篇
  1996年   5篇
  1995年   1篇
  1994年   1篇
  1993年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   3篇
  1990年   1篇
排序方式: 共有348条查询结果,搜索用时 46 毫秒
71.
SiN dielectrically-defined 0.15μm field plated GaN HEMTs for millimeter-wave application have been presented.The AlGaN/GaN hetero-structure epitaxial material for HEMTs fabrication was grown on a 3-inch SiC substrate with an Fe doped GaN buffer layer by metal-organic chemical deposition.Electron beam lithography was used to define both the gate footprint and the cap of the gate with an integrated field plate.Gate recessing was performed to control the threshold voltage of the devices.The fabricated GaN HEMTs exhibited a unit current gain cut-off frequency of 39 GHz and a maximum frequency of oscillation of 63 GHz.Load-pull measurements carried out at 35 GHz showed a power density of 4 W/mm with associated power gain and power added efficiency of 5.3 dB and 35%,respectively,for a 0.15 mm gate width device operated at a 24 V drain bias.The developed 0.15μm gate length GaN HEMT technology is suitable for Ka band applications and is ready for millimeter-wave power MMICs development.  相似文献   
72.
根据Si3N4的材料性能可知其某些特性对制造滚动体是有利的,通过对Si3N4陶瓷球试验加工工艺的研究,确定Si3N4陶瓷球加工工艺,研制出符合G5级要求的陶瓷球。  相似文献   
73.
轴承在工业发展中是以零部件的形式存在的,在机器的运行中,基本上都会用到大大小小的轴承,那么对于在精度要求较高的轴承运转中,需要轴承的游隙较小,这样才能更好的发挥轴承的功能。在对轴承的游隙进行调整阶段是在轴承的装配阶段,还有一道工序是对轴承进行顶紧工作,这些工作都是轴承的游隙进行的调整,对轴承游隙进行合理的调整,是需要用到一定的方式方法的,本文将针对轴承游隙的调整做出相应的阐述。  相似文献   
74.
王泉 《广州化工》2012,40(6):128-129,181
中国石化海南炼化8万吨/年硫磺回收装置于2006年5月投产,为进一步提高海南炼化硫回收能力,本文研究了利用空分装置排放大气的污氮与空气混合配比成氧含量28%的富氧空气进制硫炉燃烧,降低炉头压力、提高硫回收能力的可行性研究。经理论核算,装置改造后酸性气处理量比现生产能力可提高22%,硫磺日产量可提高50吨。  相似文献   
75.
76.
王泉 《个人电脑》2004,10(5):116-116
  相似文献   
77.
研究了 Ga N高温宽禁带半导体外延层上欧姆接触的制备工艺 ,讨论了几种测试方法的优缺点 ,并根据器件制作的工艺兼容性 ,在 n-Ga N样品上获得了 4× 1 0 - 6 Ω·cm2的欧姆接触 ,在 Al Ga N/Ga N异质结构样品上获得了 4× 1 0 - 4Ω· cm2 的欧姆接触。实验结果表明 ,Al Ga N/Ga N上低阻欧姆接触的制备及其工艺兼容性是Ga N HFET器件研制的技术难点  相似文献   
78.
针对扩展目标联合估计运动状态和目标外形的问题,提出一种基于星-凸形随机超曲面模型的扩展目标高斯混合概率密度滤波算法.该算法利用星-凸随机超曲面模型对量测的扩散程度进行建模,在高斯混合概率假设密度的框架下,通过求解、更新递推量测模型下的量测似然、新息等参数来实现对扩展目标的跟踪.仿真实验表明,该算法在保证跟踪有效性和可行性的同时,提高了对扩展目标运动状态和目标外形的估计精度.  相似文献   
79.
两轴地磁信号修正的陀螺姿态算法   总被引:1,自引:0,他引:1  
目前捷联式惯导系统是惯性技术的发展方向,姿态算法是捷联惯导系统算法中的一个重要组成部分,其精度直接影响弹体姿态控制能力,为此文中提出了一种采用三轴MEMS陀螺进行姿态探测,并用两轴地磁信号解算出的滚转角修正陀螺累计误差的方案,仿真分析了地磁陀螺信号组合测姿算法。结果表明:该方案相对于单纯陀螺信号解算姿态角精度高,可用于改善测姿结果。  相似文献   
80.
齿轮做为常用的机械元件,一向广泛的被运用在机械的传动装置中,小至钟表用齿轮,大至船舶涡轮机用的大型齿轮,都能通过选配齿数组合,获得任意且正确的传动比。它的功率范围大、传动效率高、圆周速度高、传动准确、使用寿命长、结构尺寸小等特点已成为许多机械产品不可缺少的传动部件,也是机器中所占比重最大的传动形式。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号