制备工艺参数对镁合金表面沉积TiCN薄膜耐蚀性的影响

采用射频磁控溅射法在AZ31镁合金表面沉积TiCN薄膜,研究了制备工艺参数对TiCN薄膜耐腐蚀性能的影响。结果表明,在Ti靶功率50W,C靶功率50W,N2流量20sccm,溅射时间4.5h条件下,镀TiCN薄膜的镁合金基体具有最佳的耐蚀性,其在3.5%(质量分数)NaCl溶液中的腐蚀电流密度为1.664×10-6 A/cm2,比同等条件下纯镁合金基体的腐蚀电流密度(1.785×10-5 A/cm2)下降了1个数量级。     

水热法制备花状纳米片簇Li4Ti5O12及其储锂性能

以氢氧化锂和钛酸四丁酯为原料,采用水热法制备出花状纳米片簇Li4Ti5O12粉体,研究了不同原料配比对产物晶体结构的影响。采用XRD、SEM对Li4Ti5O12的晶体结构和形貌进行了分析,结果表明所得产物是由Li4Ti5O12纳米片层组成的花状微球,所得晶体为尖晶石型结构。恒电流充放电实验表明,Li4Ti5O12在充放电倍率为0.1、1和2C下首次放电比容量分别为160、141和128mAh/g。     

磁控溅射制备非晶态WO_3薄膜的光催化性能

采用射频反应磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了非晶态WO3薄膜。通过光催化降解亚甲基蓝和罗丹明B溶液实验,研究了所制WO3薄膜的光催化活性和使用寿命。X射线衍射(XRD)分析表明:所制备的WO3薄膜为非晶态。光催化实验表明:紫外光照3h后,薄膜对亚甲基蓝和罗丹明B溶液的最大降解率分别为83.26%和72.73%。重复使用3次后,薄膜对亚甲基蓝的降解率保持在75%以上,7次使用后薄膜基本丧失光催化活性。采用去离子水超声处理30min的方法可使已失活薄膜对亚甲基蓝的降解率从20%恢复至81%。     

工艺参数对磁控溅射TaOx薄膜离子导体性能的影响

采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽为靶材,在WO3/ITO/Glass基材上制备TaOx薄膜,研究氧含量、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响.用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能,结果表明:所得的TaOx薄膜主要为非晶态,在一定范围内,在较低的溅射功率和较低的氧含量实验条件下制备的TaOx薄膜具有较好的离子导电性能.     

W掺杂量对非晶态Ti02：W薄膜光学带隙的影响

在不同的W靶溅射功率下，用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2：W薄膜，并对样品进行了XRD，STS和UV-Vis分析，结果表明试样为非晶态；w靶溅射功率为30w时，带隙为2．75eV；W靶溅射功率为100W时，带隙为3．02eV；W靶溅射功率为150W时，带隙能为2．92eV．STS分析结果表明，在样品的禁带中产生了新的能级，能级宽度为0．83eV．     

超细CaCO3对硫铝酸盐水泥性能的影响

研究了超细CaCO3对硫铝酸盐水泥性能的影响情况。结果表明,超细CaCO3缩短了水泥的凝结时间,且其掺量在3%左右时,不仅改善了浆体的流变性能,而且大大提高了水泥的抗压强度。此外,探讨了高温养护条件下掺超细CaCO3水泥浆体的强度发展。     

纳米SiO2包覆硅灰石粉填充改生聚丙烯的研究

通过实验制得纳米SiO2包覆硅灰石粉，然后采用偶联剂进行表面处理。通过对聚丙烯（PP）的填充改性，将这一新型无机复合粉体与同样经偶联剂表面处理的传统的单一硅灰石矿物粉体填料进行了比较。结果表明，纳米SiO2包覆硅灰石，填充改性聚丙烯，可同时达到增强、增韬的目的；且可大大提高填充量，从而降低产品成本。同时，从两相结合界面的结构形貌出发，解释纳米SiO2包覆硅灰石粉在基体树脂聚丙烯中填充改性的作用机理。     

纳米科技在内外墙涂料中的应用

主要针对纳米科技的一个分支———纳米材料的主要特性以及这些特性赋予内外墙涂料的某些特殊性能做了阐述 ,同时分析了纳米材料给涂料带来的负面影响。在此基础上提出了纳米材料在内外墙涂料中应用的主要技术关键     

Ni掺杂WOx薄膜的电致变色性能

采用磁控溅射工艺,以纯钨和纯镍为靶材在ITO玻璃上制备Ni掺杂WOx电致变色薄膜,研究了Ni掺杂对WOx薄膜电致变色性能和微观结构的影响机理.实验结果表明:均匀掺杂少量的Ni可改变WOx薄膜内部的缺陷分布及结构,提高薄膜的电致变色性能.XRD分析表明,掺杂后的WOx:Ni薄膜为非晶态;XPS分析表明:WOx:Ni薄膜中的Ni为Ni2 .