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81.
为满足钎焊原理和条件的要求,选用软钎焊封接工艺,对锗窗口进行了金属化处理。对金属化材料与焊料的选择、配制以及钎焊等工艺做了大量的探索与实验,并取得了有用的结果。该工艺技术已应用于制作红外探测器件。 相似文献
82.
H. Fathollahnejad R. Rajesh J. Liu R. Droopad G. N. Maracas R. W. Carpenter 《Journal of Electronic Materials》1995,24(1):35-38
A low resistance PdGe nonalloyed ohmic contact has been successfully formed to epitaxially lifted-off n-type GaAs films. The
contact is made by lifting off partially metallized n-type GaAs films using the epitaxial lift-off method and bonding them
to metallized Si substrates by natural intermolecular Van Der Waals forces. Low temperature sintering (200°C) of this contact
results in metallurgical bonding and formation of the ohmic contact. We have measured specific contact resistances of 5 ×
10−5 Ω-cm2 which is almost half the value obtained for pure Pd contacts. Germanium forms a degenerately doped heterojunction interfacial
layer to GaAs. Our experimental results show that germanium diffuses to the interface and acts as a dopant layer to n-GaAs
film surface. Therefore, for epitaxially lifted-off n-type GaAs films, PdGe is a low resistance ohmic metal contact to use. 相似文献
83.
Epitaxial CdTe layers were grown using organometallic vapor phase epitaxy on Si substrates with a Ge buffer layer. Ge layer
was grown in the same reactor using germane gas and the reaction of germane gas with the native Si surface is studied in detail
at low temperature. It is shown that germane gas can be used to “clean” the Si surface oxide prior to CdTe growth by first
reducing the thin native oxide that may be present on Si. When Ge layer was grown on Si using germane gas, an induction period
was observed before the continuous layer of Ge growth starts. This induction period is a function of the thickness of the
native oxide present on Si and possible reasons for this behavior are outlined. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) data
show negligible outdiffusion and cross contamination of Ge in CdTe. 相似文献
84.
85.
86.
Y. Bruynseraede T. Puig E. Rosseel M. Baert M. J. Van Bael K. Temst V. V. Moshchalkov R. Jonckheere 《Journal of Low Temperature Physics》1997,106(3-4):173-182
We have studied the superconducting properties of antidot arrays and mesoscopic antidot clusters near the superconducting-normal
phase boundary. Characteristic minima and maxima have been observed in the magnetore-sistance, critical current and phase
boundary caused by the formation of stable vortex configurations at the antidots. A comparison with a simple theoretical model
has shown that the effects in the arrays as well as in the clusters originate from quantization of the fluxoid at the antidots.
This model has enabled an identification of all vortex configurations. 相似文献
87.
掺锗CZSi原生晶体中氧的微沉淀 总被引:4,自引:1,他引:3
利用锗硅单晶(锗浓度约为1019cm-3)切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺,生长了直径为60、50和40mm,掺锗量为0.1%和0.5%(锗硅重量比)的锗硅单晶.利用化学腐蚀-金相显微镜法、扫描电子显微镜(SEM)能谱分析和X射线双晶衍射等方法观测了掺锗硅的原生晶体中缺陷及氧的沉淀的状况.发现用CZ法生长的锗硅原生晶体与常规工艺生长的CZSi晶体不同,体内存在着较高密度的氧微沉淀.在晶体尾部,由于锗的分凝使熔体中锗高度富集,出现了"组分过冷"现象,在晶粒间界应力较大处有锗的析出并出现了枝状结晶生长.晶体中高密度氧的微沉淀经过1250℃热处理1h后会溶解消失. 相似文献
88.
89.
空气中^131I的取样和测量方法的研究 总被引:5,自引:2,他引:3
本文介绍一种气态和气载~(131)I 取样器。着重介绍了一种指数分布源的效率刻度方法,讨论了与取样有关的一些问题。 相似文献
90.
可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)张万生梁春广(电子工业部第十三研究所,石家庄,050051)4超高亮度发光管的发展[9~14]4.1InGaAlPDHLED发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一,超高... 相似文献