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Na-doped ZnO thin films were deposited on the glass substrates using sol-gel method. The effect of Na concentrations on the structural and optical properties of ZnO films was studied. As Na concentration increases from 0.0 at% to 16.0 at%, preferential c-axis orientation becomes more and more obvious, and the intensity of the diffraction peaks from (103) increases. The optical band gap Eg value increases from 3.261 to 3.286 eV first and then decreases as Na concentration increases from 0.0 to 2.0 at% and th... 相似文献
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结合本厂的实际情况和在市场竞争中所做出的努力,分析概述了丙纶纤维及其产品所面临的形势;阐述了该厂在研究市场和赢得竞争中采取的具体举措;探讨了市场的变化规律和总结了占据市场的成功经验。 相似文献
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直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。 相似文献
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报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,N来自NH3与O2的生长气氛,Al来自ZnxAl1-x(x=0.9)靶材.利用XRD,AFM,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究.结果表明,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向,450℃、600℃分别实现了p型转变,电阻率为102~103Ω*cm,载流子浓度为1015~1016cm-3,迁移率为0.5~1.32cm2/(V*s).薄膜中Al原子促进了N原子的掺入.实验还表明,p-ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率(约为90%),室温下光学带宽为3.28eV.而在450℃生长的p-ZnO具有较小的晶粒度和表面粗糙度. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在Si(111)制备了一系列Mg掺杂的ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和接触角测试仪测量薄膜的微结构、表面形貌和表面接触角。结果表明:Mg掺杂ZnO薄膜仍为六角纤锌矿型结构,所有薄膜均具有较好的c轴择优取向。随着Mg掺杂含量的增加,薄膜的粗超度从2.14nm增大到9.56nm,薄膜表面接触角由89? 减小到 82?。通过对薄膜交替进行紫外光照和黑暗放置(或热处理),可以实现其表面疏水与超亲水性之间的可逆转化,光诱导可逆转化效率随Mg掺杂含量的增加而增大。 相似文献
99.
100.
以四川某钢铁厂锻造车间为例,利用技术经济学方法分析其现在生产的经济效益,利用线性规划法确定合理的品种组合,并利用二次指数平滑法预测未来5年的销售量,最后用净现值率和净现值判定技改方案中的最佳方案,用以说明技术经济分析是锻造生产及技改决策的科学方法。 相似文献