铂含量对改性铝化物粘结层高温氧化和内应力的影响

研究镍基高温合金的热障涂层系统中不同铂含量的改性铝化物粘结层在1100℃空气中循环氧化和非连续氧化行为及生成的氧化铝层的内应力状态。发现在不同循环氧化条件下,铂铝粘结层表面都形成连续致密的α-Al2O3层,并且α-Al2O3具有相同的形态和相似的平均厚度。而在非连续氧化初期,Al2O3层热生长应力快速增大,在氧化至100h时内应力出现峰值。同时由于高含量铂促进Al元素的扩散从而改变了涂层力学性能,造成高含量铂涂层中表现较大的内应力,但铂含量不能影响Al2O3层中内应力曲线变化趋势。另外,低铂含量涂层γ′-Ni3Al多沿β-NiAl晶界生成,而高含量铂使涂层晶粒细化,导致γ′-Ni3Al相呈弥散分布生长,从而可以形成Al元素的"网"状快速扩散通道。     

Ag-MgO复合团簇薄膜微结构及其光学特性

用射频-磁控共溅射技术制备出Ag体积分数分别为5%,10%,15%和20%的Ag-MgO复合团簇薄膜.用X-射线衍射仪、原子力显微镜和紫外-可见分光光度计研究了复合团簇薄膜的微结构、表面形貌和光学性质.结果表明:随着Ag体积分数从5%增大到20%,薄膜中Ag的平均晶粒尺寸由8.2 nm增大到10.9 nm,薄膜的平均颗粒尺寸从37.9 nm增大到43.4 nm,方均根(rms)粗糙度先减小后略有增大,可见光范围内的平均透过率先下降后几乎保持不变.     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧V_o和间隙锌Zn_i),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.     

基于动态客流的城市轨道交通牵引能耗测算

节能是轨道交通可持续发展的重要目标,对牵引能耗的准确测算有助于探索节约能源。分析列车与牵引能耗的线性关系和动态客流在不同时区段的特征,并引入关键系数单耗指标,以此建立了一种地铁列车牵引能耗测算模型,该模型更加贴合线路特征和客流动态特征,大大降低了测算误差,与现有的预测方法比误差更小。通过研究不同时区段的单位能耗可以为既有线路的能耗估算和新线的规划设计提供了参考。     

透明导电AZO/Cu双层薄膜制备及其性能

采用直流磁控溅射方法在玻璃衬底上室温生长了AZO/Cu双层薄膜,Cu层厚度控制在9nm,研究了AZO层厚度对薄膜电学和光学性能的影响。当AZO层厚度为20～80nm时,AZO/Cu双层薄膜具有良好的综合光电性能,方块电阻为12～14Ω/sq,可见光平均透过率为70～75%,品质因子为2×10-3～5×10-3Ω-1。AZO/Cu双层薄膜可以观察到Cu（111）和ZnO（002）的XRD衍射峰。通过退火研究表明,AZO/Cu双层薄膜的光电性能可在400℃下保持稳定,具有良好的热稳定性。本研究制备的透明导电AZO/Cu双层薄膜具有室温制程、综合光电性能良好、结晶性能较好、稳定性高的优点,可以广泛应用于光电器件透明电极及镀膜玻璃等领域。     

TRIP钢的理论研究进展

阐述了优化TRIP(相变诱导塑性)钢所需的马氏体相变晶体学、热力学、动力学和TRIP效应等基本理论,重点介绍了WLR和B-M晶体学、O-C热力学、K-M和O-C动力学以及与TRIP效应相关的G-J、Magee机制.概述了TRIP钢的理论的研究进展,提出了目前理论研究存在的问题和研究方向.     

天津大港兴联写字楼工程灌注桩施工实践

以天津大港兴联写字楼工程为例,对钻孔灌注桩的施工工艺、施工技术的应用和质量控制进行了阐述,并对常见的质量问题进行了分析,明确了各工序施工技术要点和过程参数,为今后同类项目施工积累了一定经验。     

二辊斜轧穿孔的有限元模拟研究进展和展望

有限元(FE)模拟已成为研究二辊斜轧穿孔过程的重要手段.通过对二辊斜轧穿孔有限元模拟的发展历程整理、探讨,得出了今后发展方向是“真、实、省”的结论.     

断层裂隙较发育地段硐室爆破

介绍了山西原太高速公路某段硐室爆破作业经验.该硐室爆破作业区为断层裂隙较发育区,为获得理想的爆破作业效果,作业时对药室布置、布药、堵塞及起爆顺序进行了慎密考虑.并对爆破结果进行了分析.     

功率和退火对磁控溅射生长ZnO∶Ga薄膜的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Ga透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射(XRD)、四探针电导率测试、紫外可见分光光度等表征方法研究了溅射功率对薄膜结晶特性及光电性能的影响。结果表明:当溅射功率180W时制备的GZO薄膜光电性能最优,方块电阻为9.8Ω/sq,电阻率为8.6×10-4Ω·cm,霍尔迁移率为12.5cm2/V·s,载流子浓度为5.8×1020cm-3,可见光透过率超过92%。另外,研究了最优制备条件下的GZO薄膜的高温稳定性,在氩气、氧气和真空气氛下分别对薄膜进行退火处理。结果表明,氩气退火的薄膜电学性能显著提高,是显著改善GZO薄膜性能的有效方法之一;氧气退火不利于薄膜的导电性;真空退火介于两者之间。