直流电弧等离子体发生器结构设计及其关键技术研究

本文通过对国内外各类等离子体发生器的分析,结合在等离子体发生器设计领域的最新研究成果,首先对等离子体技术领域的相关基本概念进行了阐述与说明;然后基于相应研究成果,对直流电弧等离子体发生器设计过程中常见的三类关键技术:电弧产生、大尺度分流现象、双弧现象进行了概略性分析;接着基于直流电弧等离子体发生器的发展历程,分析了典型等离子体发生器结构;最后提出直流电弧等离子体发生器的发展趋势。     

离子液体催化合成双烷基二苯醚

以盐酸三乙胺/三氯化铝(Et_3NHCl-AlCl_3)离子液体为催化剂,二苯醚和1-十二烯烃为原料合成了双烷基二苯醚。通过正交试验,得到烷基化反应的较优工艺条件为:n(二苯醚):n(1-十二烯烃)=1:3,二苯醚用量0.3 mol,催化剂用量0.045 mol,反应温度70℃,反应时间1 h。在此条件下,烷基化转化率为98.1%,双烷基二苯醚选择性为33.7%。改变离子液体的阳离子和阴离子部分结构,研究了催化剂结构对其催化性能的影响。结果表明,该类催化剂的催化活性主要由阴离子部分的结构决定,较优的阴阳离子组合为Et_3NHCl-AlCl_3。     

复合水泥基—水玻璃双液注浆材料在土石坝防渗施工中的应用

注浆是解决土石坝渗流问题的基本手段,本文结合复合水泥浆和化学浆的优势和劣势,提出了复合水泥基—水玻璃双液注浆材料.通过试验方式确定了浆液的最佳配合比,并对具体的施工方式进行了阐述,为类似工程的防渗施工提供理论支撑.     

相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌

本工作采用相场法模拟GaAs衬底上生长的In_(0.3)Ga_(0.7)As多层异质结构薄膜表面。通过引入多序参量,使用半隐性傅里叶谱方法求解Cahn-Hilliard方程可以求得带缓冲层结构的薄膜表面形貌。计算结果模拟了薄膜生长过程,研究显示,使用In0.15-Ga0.85As缓冲层,厚度从1nm增加到4nm,薄膜表面临界波长从34nm提升到80nm。随着缓冲层的厚度从1nm增加到10nm,使用正弦波表面的模拟结果显示,薄膜表面粗糙度从2.87nm下降到0.43nm,随机叠加波表面的模拟结果也类似,表面粗糙度从1.21nm下降到0.18nm。热力学分析和应变分布分析可以解释缓冲层对薄膜表面形貌演化的作用。该模拟计算方式对设计缓冲层结构有很大的帮助,模拟计算的结果可以与实验相比对。     

基于卓越工程师的食品科学与工程类专业“阶梯递进,双证通融”人才培养模式实践

湖北文理学院食品科学与工程类专业构建并实施以卓越工程师为培养目标的"阶梯递进,双证通融"的人才培养模式,推行基于学业导师制和PRP项目的食品专业大学生校内创新训练体系,深化校内协同、校外协同联合育人机制,在高级应用型人才培养方面进行一些有益的尝试。     

双态组织高Nb-TiAl合金的缺口敏感性

通过对圆棒状缺口试样和无缺口光滑试样进行单向拉伸试验,研究了双态组织高Nb-TiAl合金的缺口敏感性。研究表明,缺口根半径R≥0. 5 mm的U型试样和缺口角度60°、R≥1 mm的V型试样的抗拉强度RmN都大于光滑试样的抗拉强度Rm,缺口敏感度NSR均大于1,合金对缺口不敏感。当缺口类型相同时,缺口敏感性随缺口根半径R的减小而增大; V型缺口敏感性大于U型缺口;对于V型缺口试样,当R=0. 5 mm时,其NSR在0. 98～1. 03之间,RmN在Rm附近波动,易出现缺口敏感。     

MoS_2/p-Si异质结的制备及其光电性质研究

文章通过化学气相沉积(CVD)法制备大面积的高质量双层MoS_2二维材料,光致发光测试表明材料具有较好的发光特性。在此基础上,利用湿法转移技术将双层MoS_2二维材料转移至p-Si衬底上,实现高性能MoS_2/p-Si异质结的构筑。MoS_2/p-Si异质结表现出明显的光响应特性,这得益于内建电场促进了光生电子-空穴对的有效分离。本工作为发展高质量的多功能器件提供了新的技术思路。     

浅谈“双膜法”和“电吸附”在生活污水深度处理运行对比

在对比"双膜法"和"电吸附"工艺的基础上,总结了"双膜法"和"电吸附"在常州市某生活污水处理厂的中试情况,并对"双膜法"和"电吸附"在生活污水深度处理中的运行情况进行了对比。