用于电路模拟的PIN雪崩光电二极管模型

针对PIN结构的特殊性，作了适当的合理近似，考虑了p，n区少子扩散，i区载流子漂移，给出一个完整的PIN雪崩光电二极管电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用，亦可加到现有电路模拟软件中。它可用于直流、交流、瞬态分析。该模型完全适用于PIN结构光电二极管。     

利用(110)硅片制作体硅微光开关的工艺研究

采用基于湿法腐蚀工艺的体硅微机械加工方法,利用(110 )硅片结晶学特性,通过光刻、反应离子刻蚀和湿法刻蚀等工艺,在硅片上同时制作出微光开关的微反射镜结构、悬臂梁结构、扭臂梁结构和光纤定位槽结构,器件的一致性好,制作工艺简单.利用扇形定位区域,精确地沿(110 )硅片的{ 111}面进行定向腐蚀,可使微反射镜镜面垂直度达到90±0 .3°,经测量表面粗糙度低于6 nm.     

碰撞锁模多量子阱半导体激光器模式锁定过程的物理模型

提出了碰撞锁模多量子阱激光器模式锁定过程的完整的物理模型，该模型全面地考虑了吸收体的饱和吸收效应和瞬态光栅效应及增益区端面附近和靠近吸收体处的瞬态光栅作用。作为应用实例采用本模型研究了多量子阱结构激光器的模式锁定过程及瞬态光栅对脉冲半峰宽及峰值功率的影响。     

用变分法计算超晶格材料能带过程的一种新的包络函数构造方法：1994…

在以往用变分法计算超晶格材料能带结构的工作基础上，提出一种新的包络函数构造方法，该方法具有通用性，可方便地用于多种材料构成的任意结构的超晶格，可使复杂的数值运算过程得以简化，尤其对由多种材料构成的直晶醒更为明显。     

PINIP结构a—Si：H多色光电探测器电路模型研究

本文以ＰＩＮＩＰ结构各区载流子速率方程为基础,综合考虑了各区的多种物理过程,在适当的近似条件下,给出一个完整的ＰＩＮＩＰ多色光电探测器电路模型。该模型的模型参数直接与的几何及电学参数相联系,对于器件的优化设计尤其方便。该模型可在开发ＯＥＩＣ电路模拟软件中采用,亦可加到现有电路模拟软件中,它可用于直流,交流,瞬态分析。     

金属半导体金属光探测器电路模型的研究

本文给出一个可为开发计算机辅助分析软件采用的完整的MSM-PD电路模型,采用该模型对一个GaAs MSM-PD的直流光电特性模拟分析结果与已报道的实验结果符合很好。