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21.
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),在Si衬底上生长了TiO2纳米薄膜,并用此材料制备了光电导型的TiO2薄膜紫外光探测器.通过测量探测器的光电流与照射光波长的关系,可以看出,TiO2探测器在紫外波段230~280nm有很明显的光响应,光电流谱线近乎平坦;在280nm处光响应出现明显下降,且跨度较大,直至360nm又再次趋于平坦.测量了250nm波长处的响应度和外加偏压的关系,发现响应度随外加偏压的增加而增加,5V时达到饱和.  相似文献   
22.
TiO2薄膜紫外探测器的光电特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),在Si衬底上生长了TiO2纳米薄膜,并用此材料制备了光电导型的TiO2薄膜紫外光探测器.通过测量探测器的光电流与照射光波长的关系,可以看出,TiO2探测器在紫外波段230~280nm有很明显的光响应,光电流谱线近乎平坦;在280nm处光响应出现明显下降,且跨度较大,直至360nm又再次趋于平坦.测量了250nm波长处的响应度和外加偏压的关系,发现响应度随外加偏压的增加而增加,5V时达到饱和.  相似文献   
23.
不同形状量子阱的量子限制效应   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用差分法求解有效质量方程,考虑轻重空穴的混合效应及应变效应,对三种不同形状的量子阱的能带结构、价带态密度、跃迁矩阵元进行了比较。在阱宽相同的条件下,方阱有最大的限制能力,但抛物阱和三角阱有更平坦的态密度曲线,使得以抛物阱和三角阱为有源区的激光器和半导体激光放大器可以有较低的透明电流密度。同时价带子带的耦合强烈改变了跃迁矩阵元,这对量子阱的增益特性会产生影响。  相似文献   
24.
针对一种中心波长为1.55μm、波长间隔为1.6nm的聚合物阵列波导光栅波分复用器,对其功率分布、分波波谱、自由光谱区(FSR)、衍射效率、串扰等进行了详细的分析.并对波导芯尺寸、相邻阵列波导间距、衍射级数、阵列波导数等参量进行了优化,得到了器件实际设计所需要的相应的参数值,从而达到优化器件设计的目的.  相似文献   
25.
基于La0.7Sr0.3FeO3的微结构乙醇气体传感器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
以La0.7Sr0.3FeO3为敏感材料,设计制成了一种新型的共平面结构气体传感器.基于有限元分析软件Ansys对该传感器结构进行了优化设计.实验测得该传感器对于500ppm浓度乙醇气体的灵敏度为8.0,功耗为261mW,是同种敏感材料烧结型传感器功耗的2/3,响应时间约为1.5s,恢复时间约为2.5s,是一种功耗低、灵敏度高、稳定性好的微结构乙醇气体传感器.  相似文献   
26.
激光二极管动态调制分析模型及其应用   总被引:6,自引:1,他引:5  
本文给出一个新的适于电路分析的激光二极管(LD)动态调制分析模型.讨论了增益压缩因子及调制电流幅度对LD开关时间及弛张振荡的影响.发现对于给定的ε,有一最佳调制电流幅度,使得LD开关时间最小,弛张振荡幅度很小.对一含有缓冲放大级的光电集成光发射机的开关特性进行了计算机辅助分析,讨论了调制信号幅度及LD,驱动电路的开关特性对OEIC开关性能的影响.  相似文献   
27.
本文报道一种适合用现有工艺条件进行研制的OEIC光发送机的驱动电路。该驱动电路不仅对信号具有一定的整形能力,而且更适于高速脉码调制。同时,当制作工艺条件变化时具有较高的稳定性。对该电路进行计算机辅助分析和优化,得到该电路的上升、下降时间为120ps、140ps。  相似文献   
28.
基于PDLC的可变光衰减器的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了一种新型的低成本、小体积的的液晶可变光衰减器的设计与制作.该衰减器采用聚合物分散液晶材料,使其填充在经过耦合的带透明导电电极的两根单模光纤的间隙里,利用聚合物分散液晶在不同电场强度下引起的光的散射效应的变化,来实现对光路能量的可控连续衰减.采用体硅微细加工技术术成功地制作出了这种衰减器,并对器件进行了测试,结果表明:当传输的光波长为1550nm时,该衰减器的插入损耗为0.85dB;衰减的最大范围为0.85dB-14.21dB;驱动电压范围9V~57V.  相似文献   
29.
可控光子射频移相器是光控相控阵中的关键器件,本文用分立元件组成了光子射频移相器系统,对相移角度进行了测试,提出了一种新型的单片集成聚合物波导/聚合物分散液晶光子射频移相器的设计思想,介绍了移相器的制作工艺,分析了该移相器的优点.  相似文献   
30.
采用MEMS技术制作了静电驱动的扭臂结构8×8光开关阵列,主要包括上下电极的制作. 利用硅在KOH溶液中各向异性腐蚀特性及(110)硅的结晶学特点,在(110)硅片上制作出8×8光开关微反射镜上电极阵列,考虑到在腐蚀时微反射镜有很大的侧蚀,对开关结构进行了调整. 在偏一定角度的(111)硅片上制作了倾斜的下电极. 整个开关制作工艺简单,成本低. 开关寿命大于1000万次,开关时间小于10ms.  相似文献   
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