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991.
使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究.实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关.与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.AFM测试结果表明,提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级.微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式.该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础. 相似文献
992.
《现代电子技术》2015,(22)
系统以CORTEX M3核心板和高性能工业级GSM/GPRS模块SIM900A作为设计核心,设计一款可以自发短信进行报警提示的可燃气体检测系统。系统的核心板处理器采用STM32F103作为控制器,核心板和GSM/GPRS模块的通信通过异步串口UART进行数据的收发;可燃气体检测模块则采用传感器MQ-2进行气体浓度的测量。测量系统中,如果气体浓度超过设定的临界值,处理器会控制SIM900A模块发出报警短信给相关人员进行提示。整个系统实现了自动短信报警提示的设计,系统硬件设计体积小、功耗低;软件设计中将串口通信的字符收发进行打包封装,无乱码出现。经过测试,系统性能良好,在家庭天然气检测报警及无人值守的气体浓度检测场合中具有良好的用途。 相似文献
993.
994.
995.
以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响.结果表明,在沉积电压为3.0V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V.X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm.能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53%,6.25%和14.52%,原子数分数分别为1.68%,1.42%和5.32%.对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85. 相似文献
996.
随着当今移动互联网的快速发展,Wi Fi设备成为人们生活当中不可缺少的组成部分,而传统的无线网络在接入稳定性和安全性方面有待进一步提高。为了解决上述问题,设计了基于FH-AC系统的Portal认证系统。该系统通过对原有Portal协议进行改进并且采用Socket/HTTP通信和CHAP认证技术等一系列技术来提升系统性能,使整个系统在使用过程中能够更快更稳定地接入当前无线网络,其系统安全性也得到进一步的提升。 相似文献
997.
998.
重点研究了InGaAs/InP SPAD的隧道贯穿电场、雪崩击穿电场、雪崩宽度与过偏电压的关系,提出了过偏电压的计算方法.分析了InGaAs/InP SPAD的基本特性即探测效率、暗计数率与其过偏电压、工作温度、量子效率、电场分布的依赖关系,提出了一种单光子InGaAs雪崩二极管的设计方法.设计制作了InGaAs/InP SPAD,并在门控淬灭模式下进行了单光子探测实验.结果表明:对于200m的SPAD,在过偏2 V、温度-40 ℃条件下,探测效率(PDE) 20%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)20 kHz;对于50m的SPAD,在过偏2.5 V、温度-40 ℃条件下,探测效率(PDE) 23%(1 550 nm)、暗计数率(DCR)2 kHz.最后对实验结果进行了分析和讨论. 相似文献
999.
采用磁控溅射法在玻璃基片上沉积LaB6薄膜。通过改变溅射功率参数,获得最佳制备工艺条件。采用XPS、X射线衍射仪和分光光度计研究薄膜的成分、结构、晶向以及透过率。当溅射功率为44 W,氩气气压为1.5 Pa,氩气流量为27 sccm时制备的LaB6薄膜表面相对平整,结构致密。 XRD数据也表明,此时LaB6薄膜结晶度最高且(110)晶面发生明显的择优生长。同时分光光度计结果显示:薄膜的透过率随溅射时间的增加而降低,并且最高透过率对应的波长没有发生变化。 相似文献
1000.