今秋重作——《真三国无双BB》

《真 三国无双 BB》以PS2上所推出的《真 三国无双》系列游戏为基础，维持单机版的动作类型玩法，并针对多人游玩的需求而进行许多改良与强化，是世界首软大规模多人线上版（MMO）的战术动作游戏，玩家将可以创造自己专属的角色，与数千名玩家一同投入三国战场之中。     

中高比转速转轮内部流态与外特性的关系

为了更有效的发挥流动计算技术在转轮优化,性能预测和新产品设计方面的作用,深入探讨内部流态与外特性间的关系是十分必要的。本文选择具有实测结果的混流式转轮进行了内部流场计算。首先对不同工况下计算的能量特性与试验进行了细致的比较,结果表明,计算预测的转轮流量,效率等与试验曲线在设计工况附近时十分接近,在偏工况计算结果与实测结果虽有差别,但仍能反映转轮的主要特性;在此基础上,重点讨论了转轮内流场与外特性间的联系,分析表明：转轮的最优效率区的位置和形状与进口冲角和出口环量密切相关,即小进口冲角区与小出口环量区的交集形成了水轮机的最优效率区,尾水管的压力脉动与转轮出口环量的大小密切联系,大的转轮出口正环量区对应着强度较大的尾水管的压力脉动,较大的进口负冲角易在叶片正面形成较大旋涡,转轮进口压力脉动可能与进口处该旋涡区的不稳定性有关。     

SCADA和GIS在理论线损中的应用

线损率是表征电力工业经济效益和技术管理水平的综合性指标。线损有统计线损和理论线损 ,两者的差异是由于计量装置误差、漏抄、错抄、违章用电和窃电等因素引起。通过理论线损计算便于运行管理部门进行分析 ,从而采取切实可行的降损措施 ,以达到最大的经济效果。理论线损还为线路技术改造提供理论依据 ,当理论线损和统计线损都超过正常线损率许多时 ,说明该线路存在技术上不合理的因素 ,需进行技术改造。1　基于 SCADA的实时理论线损以往的理论线损计算 ,在电流数值的采集上 ,均采取近似方法 ,如典型日法 :采用代表日的数据进行计算 ,代…     

2000年我校24名新生到新加坡留学

新加坡教育部经我国教育部同意,每年从我国的部分著名高等院校中选拔一批新生处新加坡 国立大学和新加坡南洋理工大学进行全额奖学金学习。我校从2000年入校的新生中选拔了42 名侯选人。2000年10月9日至13日,侯选人接受新加坡官员和专家的考核;考核的内容分笔 试、心理测试、面试几个步骤。最后有24名新生通过了新加坡教育部的考核。这24名新生已 于2000年11月赴新加坡。这24名中有男生21人、女生3人;女生是我校附中李海莹、哈尔滨 第九中学吴安泰、西安中学杨琛。这24名新生来自九省一市：陕西、江苏、安徽、浙江、河 南、湖北、重庆、四川、山东、黑龙江。 胡沛泉 2001年1月3日     

CIMS下知识管理的研究

在分析知识管理的定义后,提出知识流同物流、价值流等一样是CIMS中重要组成部分;强调知识管理系统应作为CIMS中一个重要的分系统,给出了知识管理的框架;提出用multi-agent技术构建知识管理的实际软件模型。该模型采用软件插件的方式,适应CIMS下异构,分布式的应用环境。     

煤炭工业多种经营持续发展战略和对策

20世纪80－90年代,煤炭工业多种经营的成功创业和发展,为中国煤炭工业的持续发展拓宽了道路。跨入新世纪,煤炭工业进入战略性结构调整时期,煤炭工业多种经营的持续发展既有良好的机遇,也有严峻的挑战。要实施推进洁净煤技术产业化、发展煤电联营和关联密切的产业链、提高产业集中度、提高煤炭资源综合利用的产业和规模化水平、加大第三产业的发展力度战略,要采取坚持以经济效益为中心,坚持规模经营,大力推动技术进步和创新,建立现代企业制度等措施,促进煤炭工业多种经营的持续发展。     

用除铜废液制备硫酸铜

介绍了用除铜废液制备硫酸铜的原理,工艺及装置。     

榆神府煤田开采对地下水和植被的影响

在简要说明榆神府矿区生态脆弱性和煤田开发对我国国民经济发展的重要性基础上,概述了矿区生态环境的现状、地下水的基本特征、采煤对地下水和植被的影响、以及矿区地下水与植被的相互关系;说明地下水资源是支撑矿区生态环境可持续发展的重要因子,采煤对地下水的破坏会严重影响矿区植被的恢复与重建;指出了目前矿区地下水与植被互动关系研究的不足,并提出了今后该领域应着重研究的方向.     

同性极式感应子电机电感计算

中高频同性极式感应子发电机已在飞轮储能、高功率电源、风力发电等装置中被研究和应用,基于磁路磁导分析法推导了同性极式感应子发电机在磁路不饱和时计算电感的一种实用方法,为同性极式感应子发电机的设计提供了技术依据.     

Si光电器件表面减反膜设计的数值分析

本文通过计算、分析在Si光电器件表面由SiO2、Si3N4及AI2O3组成的不同减反膜的反射损耗,得出了最优化的膜层组合。厚度为95nm的SiO2层是最佳的单层减反膜;进一步的优化可采用40nmSi3N4和40nmSiO2或45nm AI2O3和45nm SiO2组成的2层结构;3层或3层以上结构的反射损耗呈振荡性变化,不建议采用。