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991.
SOI技术及其抗辐射加固性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
回顾了SOI技术的发展过程,阐述了各种SOI基本结构,分析了SOI结构抗瞬时辐射加固的性能。. 相似文献
992.
研究在离子束条件下,硅基底上沉积金属薄膜,并研究其界面结构及退火条件下金属硅化物的形成和变化特点。 相似文献
993.
高性能聚偏氟乙烯中空纤维膜纺制 总被引:10,自引:0,他引:10
研究了聚偏氟乙烯中空纤维膜成膜机理,采用高分子添加剂,表面活性剂,非溶剂三混合复配成纺丝添加剂,可以得到高功能聚偏氟乙烯中空纤维多孔膜。 相似文献
994.
995.
木南 《军民两用技术与产品》2009,(6):20-20
英同伦敦大学学院的一个研究组在硅和钢铁中掺杂了少量的锰.制备出一种既不是磁体又不是普通半导体的材料.这种新材料介于磁体和半导体之间。新材料的制备首次揭示了一种达到这种中间状态的简单配方.同时提出了一种在半导体设备中控制电流和磁力的新机制. 相似文献
996.
997.
998.
999.
传统的铝硅系合金在处理过程中都采用钠盐变质。我厂在ZL101A生产过程中首次采用金属锶(sr)作为变质剂添加在原始铝锭中,该工艺不仅简化了操作程序而且提高了合金的机械性能。 相似文献
1000.