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991.
SOI技术及其抗辐射加固性能研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
回顾了SOI技术的发展过程,阐述了各种SOI基本结构,分析了SOI结构抗瞬时辐射加固的性能。.  相似文献   
992.
研究在离子束条件下,硅基底上沉积金属薄膜,并研究其界面结构及退火条件下金属硅化物的形成和变化特点。  相似文献   
993.
高性能聚偏氟乙烯中空纤维膜纺制   总被引:10,自引:0,他引:10  
吕晓龙  胡成松 《纺织学报》1999,20(4):240-242
研究了聚偏氟乙烯中空纤维膜成膜机理,采用高分子添加剂,表面活性剂,非溶剂三混合复配成纺丝添加剂,可以得到高功能聚偏氟乙烯中空纤维多孔膜。  相似文献   
994.
995.
英同伦敦大学学院的一个研究组在硅和钢铁中掺杂了少量的锰.制备出一种既不是磁体又不是普通半导体的材料.这种新材料介于磁体和半导体之间。新材料的制备首次揭示了一种达到这种中间状态的简单配方.同时提出了一种在半导体设备中控制电流和磁力的新机制.  相似文献   
996.
分析了游离硅引起6063铝合金型材腐蚀的原因及由此带来的特征现象,提出了预防措施。  相似文献   
997.
998.
999.
传统的铝硅系合金在处理过程中都采用钠盐变质。我厂在ZL101A生产过程中首次采用金属锶(sr)作为变质剂添加在原始铝锭中,该工艺不仅简化了操作程序而且提高了合金的机械性能。  相似文献   
1000.
辐射多孔体传热特性的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
邢桂菊  唐铁驯  李文忠 《冶金能源》2000,19(1):23-26,62
以方形孔道的辐射多孔体为研究对象,建立了考虑辐射作用时以及辐射与传导复合存在时的两种传热数学模型,数值计算分析出孔道内温度分布和定向有效辐射规律,并通过半工业燃烧通道试验加以验证,得到了相一致的结果。本文为该元件的广泛应用提供了一定的理论和实践依据。  相似文献   
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