用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子

报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 - y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象     

嵌入式系统用Java语言

Java是在C++基础上改进了 的面向对象的语言。它可以得到类的封装、继承、多态等的优异重用性的好处,Java的小应用程序(Java Applet）还特别适合于上网。看来,用Java开发上网的嵌入式应用应是很理想的,可惜,实现起来受嵌入式设备硬件在速度、存储器容量、和其它资源的限制,加上桌面Java语言操作不到硬件,和执行时间的不确定性,使Java应用于嵌入式系统遇到新的问题。Sun公司按PersonalJava规范开发的J2ME(Java 2 Micro Edition),是专门研制用于开发嵌入式的上网个人消费类设备的。因此J2ME除有面向对象的优点外,还包含了Web…     

VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析

在 VCD和 DVD中由于使用了全息光学元件 ,全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少 .分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理 .推出了光栅衍射效率的一般计算公式 ,并给出了光栅沟槽形状为“方波”时光栅衍射效率的计算公式 ,由此计算出了 VCD和 DVD实用的全息光学元件的蚀刻深度     

谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性

研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管(RTD),峰谷比达到了5∶1,最高振荡频率为26.3GHz.采用基于物理意义的电流-电压方程,利用通用电路模拟软件PSPICE,建立了其直流电路模型,模拟结果和实验数据吻合得很好;并以此为基础模拟出了以RTD为驱动器,以电阻或RTD本身为负载的电路双稳态特性,同时分析了RTD器件双稳态特性.     

VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析

在VCD和DVD中由于使用了全息光学元件,全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少.分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理.推出了光栅衍射效率的一般计算公式,并给出了光栅沟槽形状为"方波”时光栅衍射效率的计算公式,由此计算出了VCD和DVD实用的全息光学元件的蚀刻深度.     

集散控制系统中接地保护的设计

介绍了集散控制系统中接地保护的目的、分类、接地方式和设计原则,分析了不同接地方式的优缺点及其对系统可能产生的影响.     

三维正弦电磁场问题中一类和周期性边界条件的处理方法

用三维有限元法计算电机中的磁场问题时,求解区域中经常同时包含周期边界条件和第一类边界条件两种强加边界条件,通常情况是分别处理,这样不仅使程序处理复杂,而且也增加了计算时间。本文提出了一种强加边界条件的统一处理方法,使两种边界条件能同时处理,简化了程序编制,并以A,φ-4三维有限元法为例导出了离散格式,讨论了相应的矩阵存储技术,为三维有限元法的工程实际应用打下了基础。     

利用耦合电感改善EMI电源滤波器高频幅频特性的研究

高频开关电源的传导性电磁干扰EMI（ElectroMagnetic Interference）是电力电子装置应用的主要障碍之一,EMI电源滤波器能有效抑制其干扰传导。在高频状态下．EMI电源滤波器的电容器和电感器所带有的等效寄生参数会影响EMI高频性能,基于此提出了利用高频元器件的等效寄生参数间的互感耦合改善滤波器高频性能的措施,考虑了差模电感与电容器的寄生串联电感之间存在互感耦合以及2个串联支路的串联电感之间存在耦合电感2种情况。在分析带有寄生参数的差模等效电路的基础上,进行了仿真研究。结果表明,利用寄生参数的互感耦合使得EMI电源滤波器的高频性能有所改善。     

高隔离度双极化微带天线直线阵的设计

本文介绍一种新型的1×16双极化微带天线直线阵的设计.该天线采用双极化角馈方形贴片单元,阵列的垂直极化端口采用共面馈电,水平极化端口采用口径耦合,并在馈电网络中应用反相馈电技术.实验结果表明,天线二端口驻波比小于1.5的相对带宽分别达到15％和13.5％,两端口之间的隔离度在频带内高于33dB,最大达到43dB.本直线阵可用作星载综合口径雷达系统的天线子阵,便于与有源收发器件结合.     

均匀化退火对铝合金阳极活化性能的影响

通过添加适量的Ga,In,Sn,Bi,Pb,Mn等合金元素制备了活化性能优良的七元铝合金阳极;采用极化曲线测试并结合扫描电子显微镜分析技术,研究了均匀化退火对铝阳极活化性能的影响.结果表明:退火温度低于400℃时,晶体缺陷的大量减少是导致铝阳极活性变化的主导因素,铝阳极活性随退火温度提高而降低;退火温度高于400℃后,析出相大量固溶成为导致铝阳极活性变化的主导因素,铝阳极活化性能随退火温度提高而增强.整个退火过程中,晶体缺陷的变化对铝合金阳极活性改变影响最大.