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991.
采用AP-HNO3组成的体系在低温(100 ℃左右)下快速完全地分解介孔氧化硅材料(SBA-15)的模板剂,得到开放孔道的SBA-15(N-SBA-15)。透射电镜(TEM)照片显示,N-SBA-15具有高度有序的二维六方结构(p6mm)。与焙烧产物(C-SBA-15)的孔容(1.03 cm3·g-1)和孔径(6.5 nm)相比,N-SBA-15具有较大的孔容(1.40 cm3·g-1)和孔径(10.4 nm)。小角XRD谱图表明N-SBA-15没有明显的骨架收缩,红外光谱(FT-IR)显示其孔道表面存在大量硅羟基。与C-SBA-15相比,N-SBA-15只有很少的微孔孔容。因此,AP氧化是一种条件温和的获取高质量多孔氧化硅阵列材料的有效手段,它也适用于多种具有不同对称性介孔氧化硅(如Fm3m,Im3m,Ia3d等结构)模板剂的脱除。 相似文献
992.
993.
994.
王丽七 《兵器材料科学与工程》2012,35(6):78-81
采用机械合金化-电场激活压力辅助合成(MA-FAPAS)技术,快速合成Sc,Sb掺杂的Mg2Si基热电材料,并对其进行电性能的测试与分析。结果表明:掺杂摩尔分数为0.47%Sb的Mg2Si试样在测试温度范围内,电导率和Seebeck系数均优于未掺杂试样,其平均电功率因子约为后者的2.2~2.3倍;电导率比采用熔融-热压法制备的同类试样有所提高;在低温阶段,掺杂摩尔分数为0.43%Sc的Mg2Si试样Seebeck系数约为307 K,达未掺杂试样的2.03倍;电功率因子在温度低于550 K时高于未掺杂试样,最大值与Sb掺杂试样相当。 相似文献
995.
用X射线单晶衍射法测定了4-氨基-1,2,4-三唑(4-AT)与3-硝基-1,2,4-三唑-5-酮(NTO)制得的盐(AT)(NTO)的单晶结构。结果表明:该晶体为单斜晶系,属P21/c空间群,晶体学参数a=7.071(2),b=6.361(3),c=18.792(7);β=96.43(3)°;V=839.9(5)3;Z=4;Dc=1.694 g.cm-3;μ=0.145/mm;F(000)=440。在(AT)(NTO)晶体中,4-AT阳离子上所有的原子和NTO阴离子上所有的原子均在以各自三唑环为基础的一个平面上,两平面夹角为7.6°。由真空安定性(VST)、撞击感度、摩擦感度和静电火花感度试验所得的真空放气量、特性落高、爆炸概率、50%发火电压、50%发火能分别为0.28 mL.g-1(100℃/48 h),124.7 cm,0%,12.841 kV和2.515 J,表明,(AT)(NTO)对热是稳定的,对撞击、摩擦和静电火花是不敏感的。 相似文献
996.
997.
998.
999.
制备了1-甲基-4,5-二硝基咪唑(4,5-MDNI),培养了4,5-MDNI的单晶。用X射线衍射仪测定了单晶结构。结果表明,该晶体属于正交晶系,空间群为Pna2(1)/n。晶体学参数为:a=0.8412(2)nm,b=1.2646(3)nm,Dc=0.6563(1)nm,V=0.6982(3)nm3,Z=4,Dc=1.637 g.cm-3,μ=0.15 mm-1,F(000)=352。采用GJB772A-1997方法测试了4,5-MDNI的撞击感度和摩擦感度均为0,表明,4,5-MDNI对撞击和摩擦是不敏感的,接近TATB的撞击/摩擦不敏感性水平。 相似文献
1000.