PD SOI MOSFET低频噪声研究进展

随着器件尺寸的不断减小,PD SOI器件的低频噪声特性对电路稳定性的影响越来越大.研究了PD SOI器件低频过冲噪声现象,分析了此类器件在发生浮体效应、栅致浮体效应以及前背栅耦合效应时低频过冲噪声的产生机理及影响因素.最后指出,可以通过添加体接触或将PD SOI器件改进为双栅结构,达到有效抑制低频过冲噪声的目的.     

背腔双负微带天线的仿真与实验研究

研究了以双负材料为衬底的背腔微带天线的设计方法与电磁特性.采用S参数法提取双负材料异质填充结构的本构电磁参数,基于腔模理论与HFSS仿真相结合的方法设计了背腔双负微带天线,并进行了加工制作和测试.给出了双负材料电磁特性参数的提取结果、背腔双负微带天线的辐射方向图、端口S参数的计算机仿真与实测结果,以及背腔双负微带天线的单站RCS仿真曲线.结果表明:背腔双负微带天线较背腔普通微带天线具有更好的带宽特性和散射特性.     

单面焊双面成形接头处背凹产生的原因及控制措施

文章从分析接头背凹产生的成因入手 ,力图从操作方法上探索解决这一问题的方法 ,总结了此类接头的施焊要领 ,为提高焊工操作技能作了有益的尝试。     

日盲探测器高Al组分n-Al_(0.6)Ga_(0.4)N欧姆接触(英文)

研究了应用于日盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti（20nm）/Al（100nm）之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,金属制作后再在N2氛围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过I-V测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4Ω·cm^2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

日盲探测器高Al组分n-Al0.6Ga0.4N欧姆接触

研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后再在N2氛了围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过Ⅰ-Ⅴ测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4n·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化.     

SOI LDMOSFET的背栅特性

在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性.背栅偏置电压对横向双扩散功率晶体管的前栅亚阈值特性、导通电阻和关态击穿特性均有明显影响.相比于源体紧密接触结构,低势垒体接触结构横向双扩散功率晶体管的背栅效应更小,这是因为低势垒体接触结构更好地抑制了浮体效应和背栅沟道开启.还介绍了一种绝缘体上硅横向双扩散功率晶体管的电路模型,其包含前栅沟道,背栅沟道和背栅偏置决定的串联电阻.     

城市湿地园林

城市湿地园林内涵人类起源于水,近水,亲水是人的天性.水域滋养了人类文明,是城市产生的摇篮.自古以来,江河流域、河口、湖岸和海岸都是城市定址的首选地段.     

厦门海底隧道陆域段涌水原因分析

涌水是隧道施工中常见的灾害现象,它的形成原因是多方面的。以厦门海底隧道NK12+088断面涌水为实例,通过结合该断面的工程地质情况,运用理论分析和室内试验从地下水渗透破坏、围岩遇水崩解及掌子面围岩特征3个方面分析了涌水的原因。分析得到:NK12+088断面处的全、强风化围岩均处于管涌发生的临界状态,有发生渗透破坏的危险;全强风化围岩遇水后在17 min崩解基本完成;涌水位置为掌子面岩脉出现的位置;分散的渗水点逐渐集中在一点或数点是涌水危险的开始。     

企业

徐工开拓巴西市场取得重大突破徐工集团2008年不断加大海外市场拓展力度,尤其关注中亚、南美等新兴市场的建设,日前徐工进出口公司开拓巴西土方机械市场取得重大突破。徐工XS120振动压路机已开始批量出口巴西,按出口合