GaAs／GaAlAs中红外量子阱探测器和双色量子阱红外探测器

本文报道我们在国内率先研制的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外（３～５μｍ）量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ中红外量子阱探测器是光伏型，探测峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ下的５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，峰值探测率达到５×１０１１ｃｍ·Ｈｚ１／２／Ｗ，阻抗为５０ＭΩ．ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件，在零偏压下该探测器仅在３～５μｍ波段有响应，响应峰值波长为５．３μｍ，８５Ｋ温度下５００Ｋ黑体探测率为３e９ｃｍ     

半导体技术的发展趋势和研究重点

本文介绍了一些主要半导体技术的目前水平，今后的发展趋势和正在进行的主要研究，还指出，发展半导体技术要靠两个力量，牵引力－－用户的需求和推动力－－周边技术，并叙述了发展半导体技术的可能性和必要性。     

硅反型层中热功率的磁量子振荡

本文把Butcher等提出的计算GaAs异质结磁热功率振荡的理论方法推广用于计算硅反型层的磁热功率。计算中同时计及了磁热功率张量的屏蔽声曳贡献和扩散贡献,采用了重新核实的硅反型层二维电子密度数据,并用电阻张量的实验值取代有较大误差的解析公式。计算结果远优于前人的结果,在振荡位相和幅度两方面都与Oxley等提供的T=5.020K下的最新实验数据定性相符。     

低维半导体结构中的电子输运

半导体中的电子输运性质是半导体物理研究中的一个重要问题。文中介绍了超晶格、量子线与量子点等低维半导体结构中的电子输运效应及其研究进展。     

多量子阱光波导中非线性TE波的有限元解

本文提出一种以有限元法为基础的数值方法，用于研究任意非线性介质的多量子阶（ＭＱＷ）光波导中传输与强度有关的ＴＥ波性质．用简单的迭代过程得到自洽解．对于线性或非线性包层区的波导，给出了与功率有关的ＴＥ模的数值结果．结果表明：光的总功率在某一阈值以上时，可以忽略非线性包层区对传播特性的影响．同时，还考查了非克尔型介质与功率有关的行为．     

高灵敏度低暗电流GaAs量子阱红外探测器

本文报道我们研制的高灵敏度、低暗电流的ＧａＡｓ量子阱长波长红外探测器的制备和性能．探测器具有５０个ＧａＡｓ量子阱和Ａｌ０．２８Ｇａ０．７２Ａｓ势垒，器件制成直径为３２０μｍ的台面型式单管．探测器的主要性能──响应率和探测率与偏置电流和工作温度关系很大．通过材料结构的精心设计和器件工艺的改进使探测器的性能进一步提高：探测峰值波长为９．２μｍ，工作温度为７７Ｋ时，峰值电压响应率为９．７e５Ｖ／Ｗ，峰值探测率超过１e１１ｃｍ·／Ｈｚ／Ｗ，暗电流小于０．１μＡ．     

探索量子微结构的新阶段

概述了超薄层量子结构中的量子效应及其器件之后，以立体量子微结构为重点，介绍了其中的电子的波动行为，例如普适的电导波动、弹性散射和声子散射的抑制等，并简要介绍了量子线和量子箱激光器以及电子波衍射晶体管，还讨论了对量子微结构的尺寸要求。     

半导体超晶格物理与器件（14）

半导体超晶格物理与器件（１４）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第四章半导体介观体系的物理介观体系的物理是凝聚态物理中发展得很快的一个研究领域。从历史上讲，它源于７０年代末和８０年代初对无序体系电子输运性质的研究。近年，随着半导体超微加工...