基于格子波尔兹曼模型的内镜图像高光修复

在内窥镜检查中,由于器官内腔粘膜表面黏液对光源的反射,高清图像中常常存在高光。高光的修复对内窥镜检查和诊断具有重要的临床意义。本文提出一种基于四元数和格子波尔兹曼模型的高光修复方法,首先通过四元数表达高清图像的彩色信息,然后利用四元数旋转操作表达两个像素的色差,并将色差引入到格子波尔兹曼模型的松弛因子设计中,最后利用格子波尔兹曼模型的扩散实现高光的修复。实验结果表明,该方法修复高光效果更好,局部区域细节保持效果提升了50%,颜色保持效果提升了5倍。     

钛酸钡添加量对埋容用环氧-钛酸钡-玻璃布板材性能的影响

采用热固化层压方法制备了环氧-钛酸钡-玻璃布(EBG)板材,并分析钛酸钡(BTO)添加量对埋容用EBG板材各项性能的影响。结果表明:随着BTO填料添加量的增大,EBG板材的实际密度先接近后偏离理论密度,孔隙率先减小后增大,耐浸焊时间、剥离强度先增大后减小,5%热分解温度和介电常数增大;当BTO的质量分数为80%左右时,埋容用EBG板材具有较好的综合性能;EBG板材为一种混联模型。     

变海水温度下舰用汽轮机组的环境适应性分析

鉴于舰用主汽轮机组的工作特性,指出了舰用主汽轮机组装置特有的环境适应性概念与度量的特殊性,以舰用主汽轮机组的耗汽率、功率、安全性、航速等性能为评价指标,基于MATLAB/Simulink模型,探讨在海水温度变化情况下,舰用主汽轮机组的环境适应性。该研究成果对制定合理的战术具有重要的指导意义。     

ICP硅深槽刻蚀中的线宽控制问题研究

在高密度反应离子刻蚀技术中,存在明显的线宽损失,对小尺寸MEMS结构影响很大,将使MEMS器件灵敏度下降,稳定性降低.本文介绍了一种减小线宽损失的新工艺技术,在初始阶段的刻蚀步骤中加入剂量逐渐递减的钝化气体C4F8,同时适当减小循环周期的刻蚀时间,使线宽损失由原来常规刻蚀工艺中的155nm减少到55nm.此项技术已经应用于MEMS陀螺的制造工艺中,取得了很好的结果.     

舰用主汽轮机组在海水温度变化情况下最大工作能力分析

针对舰用主汽轮机组的工作环境特性,基于热力学和流体力学基本理论,建立冷凝器工作特性模型,并运用Matlab/Simulink进行求解,定量分析了海水温度变化对舰用冷凝器压力、主汽轮机组功率和舰船航速的影响。研究成果对如何充分发挥装备的最大使用效能,具有重要的指导意义。     

本杰明·富兰克林(1706—1790)

富兰克林1706月元月17日生于波士顿,他是家里十五个孩子中最年幼者,他读书至十岁止,十二岁拜其兄詹姆(James)为师当了印刷工,十七岁离开家,抵费城时身上已不名分文! 富兰克林长期废寝忘餐地勤奋学习,曾有一段时间里,他不吃荤食把省下的一     

印制电路板高频介电常数测试技术现状分析

在印制电路板的设计、生产等过程中,板材的介电常数和介质损耗角正切都是影响板材应用性能的重要参数,因此,介电常数的测量准确性十分重要。本文介绍了目前使用的几种高频介电常数测量方法的原理、标准和相关产品,并分析了其优势和不足,以及测量技术的发展趋势。     

浅谈印制电路板信号损耗测试技术

在印制电路板设计、生产等过程中,传输线的信号损耗是板材应用性能的重要参数。信号损耗测试是印制电路板的信号完整性的重要表征手段之一。本文介绍了目前业界使用的几种PCB传输线信号损耗测量方法的原理和相关应用,并分析了其优势和限制。     

缫丝厂提高经济效益的两条途径

由于生丝规格较多,从9/11旦至50/70旦有11种,质量按照国际标准,从6A级至F级有11个等级。内在质量检验有12个项目,外观质量检验有17个项目。所以,工艺技术操作要求很高,但缫丝工人劳动条件较差,缫丝机械比较落后,手工操作程度大。虽然陆续从日本引进部分自动缫丝机,以及国内自制了D101、ZD721、D301型自动缫丝机,降低了生产成本,提高了经济效益,但是自动缫丝机所占比例很小,据浙江省统计,全省自动缫丝机仅占总数的11%。为提高缫丝厂的经济效益,我们经过调查,认为可以从两方面着手进行改造和改革。     

用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽

提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽,并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正,制造了具有理想侧壁形状的深槽,利于介质的完全填充,避免产生空洞.电隔离槽宽5μm,深92μm,侧壁上有0.5μm厚的氧化层作为电隔离材料.I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性:0～100V偏压范围内,电阻大于1011Ω,击穿电压大于100V.电隔离深槽被首次应用于体硅集成微机械陀螺仪上的微机械结构与电路之间的电气隔离与机械连接,该陀螺的性能得到了显著提高.