传统固态白酒高级醇调控技术的研究进展

随着中国影响力的日益增强，中国白酒国际化进程必将加速发展，这对其酒质提出了更高要求。白酒酒质与风味物质密切相关，适当含量的高级醇能使酒体风格更为协调，但过高含量的高级醇会引发上头效应，极大影响饮酒后的舒适感。本文综述了传统固态白酒酿造过程中高级醇的形成机理，并对高级醇调控技术的研究进展进行了总结，以期为建立白酒高级醇的调控技术提供理论依据。     

有机无机复合固态电解质的制备及电性能研究

本文以聚环氧乙烯(PEO)为基体,添加无机固态电解质颗粒(LA),通过超声分散法制备出电化学性能优异且具有自支撑柔性的有机无机复合固态电解质膜,并组装扣式电池测试电性能,包括离子电导率、电化学窗口、锂离子迁移数及界面阻抗,得出LA对电解质膜电性能的影响。     

GEN IV速调管常见故障及应对措施

高功率放大器是地球站上行发射系统的核心部分,决定上行站EIRP能力的重要设备。目前国内通常采用的高功率放大器(HPA,High Power Amplifier)有:速调管放大器(KPA,Klystron Power Amplifier)、行波管放大器(TWTA,Travelling Wave Tube Amplifier)和固态功放大器(SSPA,Solid State Power Amplifier)三种类型。     

变局与迷局2019年度IT行业大盘点

又是岁末年初时,GEEK一年一度的盘点专题如约而至。2019年我们与所有的行业大佬和科技宅们一样,经历了AMD的强势反击、PCI e 4.0的慢速起步、固态硬盘的走向平价等等,也见证了中国领先于全球率先开启5G商用,中国电竞正式步入黄金时代,以及下一个蓝海市场—TWS真无线耳机的快速崛起。2019年的变局和2020的迷局,时代的车轮飞驰而过,留下的总会是那不断的惊喜与争议,那就和我们一起来循着辙印,回顾在过去一年的变迁。     

时尚与速度的碰撞 希捷酷鱼飞翼(Fast)固态硬盘

当固态硬盘走上容量提升、价格下降的普及通道之后,不少产品线都因此受益,移动硬盘便是其中之一。固态硬盘赋予移动硬盘产品更轻巧的体积以及更快的传输速度,让用户的移动存储体验变得更好。希捷最新推出的酷鱼飞翼(Fast)固态硬盘,就是这样一款兼顾了时尚便携设计与不俗性能表现的产品。     

响应面法优化三七渣固态发酵产红色素工艺

本文在单因素实验的基础上,以培养时间、培养温度和装样量为影响因子,红色素色价为响应值,采用响应面分析法优化了三七渣固态发酵产红色素的发酵工艺。结果表明,最佳发酵工艺条件为:培养时间12 d、培养温度30.6℃、装样量10.63 g,在此条件下,红色素色价的预测值和验证实验值分别为17.12、16.83 U/g,二者的相对偏差为1.69%。固态发酵三七渣生产红色素为三七渣的资源化利用提供了一条新途径,响应面分析法用于发酵工艺条件的优化准确性高、误差小。     

锂离子电池凝胶电解质研究进展

锂离子电池（LIB）是日常生活中最常见的便携式储能设备。然而,传统的锂离子电池多使用液态电解质（LE）,存在易泄漏、易燃易爆且有毒等危险,其安全性日益受到关注。与LE相比,凝胶聚合物电解质（GPE）安全性更好且其电化学性能最接近LE,成为近年来电解质方面的研究重点。本文综述了近年来国内外GPE在LIB方面的研究进展,总结了传统聚合物基质采用交联、共聚或共混改性以提高电解质电化学性能及改善安全性方面的研究,并介绍了可再生、可降解的高分子材料在LIB方面的应用,旨在为研究功能性更强的GPE及高性能电极材料的研究提供参考。     

一种钴基磷酸根电化学传感器的研制

磷酸根离子是一种对作物生长非常重要的土壤速效养分,但由于盲目过量施肥,使其成为导致水体富营养化的最主要因素。研究并开发了一种低成本的钴基磷酸根离子电化学传感器。在一定条件下,采用恒电流沉积法在钴基电极上电沉积纳米钴敏感薄膜,该固态离子选择电极对磷酸根离子浓度的线性响应范围为10~(-5)～10~(-1) mol/L,线性相关系数为0.994,斜率为-50 mV/decade,检测下限为10~(-6) mol/L,电极具有较短的响应时间,在60 s内可以达到稳定状态,该电极的研究与开发对土壤速效磷和环境水质中磷酸根的检测研究具有一定的意义。     

星载同步NANDFlash的研究与应用

针对新型星载存储系统的超高速读写需求,基于XILINX FPGA平台对Micron公司的同步NANDFlash存储芯片的应用进行了研究,分析了该NANDFlash芯片硬件设计的信号完整性,对NANDFlash操作时序进行了分析,并设计了一种支持ONFI2. 2标准源同步模式的NANDFlash控制器,通过Modelsim对所设计的控制器进行了仿真并在存储板上进行了验证。仿真与测试结果表明,设计的控制器工作稳定,其单芯片读写速率可达1 598/1 340 Mbps,能够满足新一代星载高速存储系统的需求。