Co-Cu-Zn三元系相平衡的实验研究

本实验通过采用电子探针显微分析和X-ray衍射分析方法实验研究了Co-Cu-Zn三元体系在800°C和1000°C时的相平衡。在这两个等温截面中均未发现三元化合物。在800°C等温截面，Co在β-CuZn相中的固溶度为32.36%，Cu在β1-CoZn相中的固溶度为5.28%。除此之外，γ-Co5Zn21和γ-Cu5Zn8具有相同的晶体结构，因此，它们之间形成了一个贯穿连续固溶体相。1000°C的等温截面中，β-CuZn相、β1-CoZn相、γ-Co5Zn21相、γ-Cu5Zn8相都消失了。随着温度从800°C上升到1000°C，液相区域增大。     

壳聚糖/聚乙二醇马来酸酐双酯-N-乙烯基吡咯烷酮双网络水凝胶的力学性能增强及智能响应性

先以壳聚糖(CS)用戊二醛(GA)交联为刚性网络,后将聚乙二醇马来酸酐双酯(mah PEGmah)与N-乙烯基吡咯烷酮(VP)的共聚物交联成柔性网络,合成了一种高强度且具有p H值、电场敏感性的智能型双网络水凝胶。利用红外光谱、扫描电镜表征了凝胶的化学结构和内部形态;X射线衍射研究了凝胶的结晶性能;研究了凝胶的力学性能及其影响因素,探讨了凝胶的p H值、电场敏感性能。研究结果表明,当CS含量为20%,GA用量为0.2 g GA/g CS,PEG相对分子质量为1000,BIS用量为0.5%时,所制备凝胶的压缩强度可达9.3 MPa。随着PEG相对分子质量的增加,凝胶的p H值敏感性增强;随CS交联度的增加,凝胶的最大弯曲角和电场敏感性先增加后降低。     

醇酸清漆保护性的电化学加速评价

将目前一种电化学阻抗谱和负电位极化相结合的AC/DC/AC技术拓展成正电位阳极极化加速与电化学阻抗评价相结合的技术,并用醇酸清漆/碳钢体系验证了该技术确实能加速涂层/金属体系的腐蚀破坏、快速评价涂层的保护性,不仅适用于阴极保护条件下的涂层,也可用于自然腐蚀甚至被阳极极化的体系。通过实验分析了该技术测得的阻抗数据及样品表面形貌的变化,研究了其加速破坏的机理,建立了涂层加速破坏失效的物理模型。对比浸泡实验、AC/阴极DC/AC循环加速实验及AC/阳极DC/AC循环加速实验阻抗变化规律和腐蚀破坏形貌。结果表明:结合阴极极化和阳极极化将是未来获得一种既快速又合理的有机涂层性能评价技术的途径之一。     

可控降解抗感染材料的体外释药机制研究

在前期合成并表征了可控降解抗感染材料环丙沙星聚氨酯（CFPU）的基础上,建立高效液相色谱法（HPLC）测定其体外降解释放抗菌药物环丙沙星的含量;通过制作累积药物释放曲线,考察不同降解介质及其浓度对药物释放的影响;并对累积药物释放曲线进行拟合,研究其体外可控降解的药物释放机制。结果表明建立的HPLC法简单准确可靠。该材料的降解具有生物响应性,且符合一级动力学;药物释放是以Ritger-Pappas方程（0.45     

粗细粉混用法制备堇青石膜支撑体

将粒径分别为1.5和25μm的堇青石粉体按一定比例球磨混匀,添加适当的粘结剂和造孔剂,经捏合、陈腐、挤出成型及烘坯处理后,程序升温至一定温度烧结2h制备膜支撑体.结果表明,细粉含量20%(质量分数)、1400℃烧结所得的支撑体综合性能较好:钝水通量为10.3m3/(m2·h);爆破压力为2.21MPa.其浸渍于5%(质...     

注浆成型-常温常压干燥制备隔热块体材料

以二氧化硅气凝胶为基体,二氧化钛为红外遮光剂,E玻纤为骨架制备出有一定压缩强度的隔热块体材料;分别测样品的压缩强度R、热导率λ和常温(25℃)体积电阻率ρ.结果表明:pH=8～9时,含水料浆的分散情况较好;经过730℃处理0.5h的样品,与美国材料与试验协会的标准ASTM C533-85比较,R值0.41MPa符合,密...     

高膨胀系数、低软化温度、高电阻率无铅微晶封接玻璃的研发

介绍了高膨胀系数(α)、低软化温度(Tf,俗称熔点)、高电阻率(ρ)无铅微晶封接玻璃的发展和研究现状。分析了元素周期表中Pb对角线及其邻近元素的氧化物在玻璃中替代PbO的可能性,探讨了富含常见玻璃生成体氧化物、有条件形成玻璃氧化物的无铅微晶封接玻璃。详细讨论了富含Bi2O3微晶封接玻璃的成分设计、制备工艺、主要性质和产品开发情况。得到如下结论:富含PbO的微晶封接玻璃能获得高α、低Tf和高ρ;但因其对环境有害已逐渐被法律所禁止。富含玻璃生成体SiO2、P2O5、B2O3、As2O3、GeO2或Sb2O3系统的无铅微晶封接玻璃,或因其不能同时兼顾高α、低Tf、高ρ(如SiO2、P2O5或B2O3),或因该氧化物的毒性(如As2O3)、成本高(如GeO2),或因其制备条件苛刻(如Sb2O3),而应用受限。有条件玻璃生成体Al、V、Te、Mo、Se和Ti的氧化物中,富含Al2O3的玻璃因α低和Tf高而未发现有作为无铅微晶封接玻璃主要成分的相关报道;其他或者因其毒性(如V2O5)、成本高(如Te、Mo或Se的氧化物)等,不适合作为家用电器电热管用的金属-金属间封接;含TiO2的玻璃因极易析晶及α低而未发现有作为无铅微晶封接玻璃主要成分的相关报道。富含元素周期表中Pb对角线及其邻近元素Sn、In、Tl或Bi氧化物的无铅微晶封接玻璃,或因制备工艺苛刻(如SnO),或因该氧化物的毒性(如Tl2O3)、成本高(如In2O3)而应用受限;富含Bi2O3的无铅微晶封接玻璃,无毒且同时兼具高α、低Tf、高ρ的特点,适用于家用电器中金属-金属间的封接。     

采用CaO-SiO_2-CaF_2渣系去除硅中杂质硼

采用CaO-SiO2-10%CaF2渣系,对工业硅进行造渣除硼研究。研究不同工艺条件下,渣系碱性、反应温度T、渣金比和通气搅拌对硼在渣相和硅液中分配系数LB的影响。结果表明,在1873K下,当CaO/SiO2质量比为2时硼的分配系数可达最大值4.61。在1773～1973K下,lgLB与1/T成线性关系。随着渣金比的增大,硼的分配系数也相应增大,但当渣金比大于3时,硼的分配系数并无明显增加。通气可显著提高硼的去除效果,硼的分配系数随气体中H2O含量的增加而增大。     

原位XRD测试PLZT铁电陶瓷的电致畴变

通过传统固相法合成了四方相结构、晶粒平均尺寸1~2μm且化学组成约为Pb0.93La0.07(Zr0.52,Ti0.48)O3的铁电陶瓷试样。利用自制的电加载装置与常规XRD测试仪器联用,在不同外加直流电场作用下实现了陶瓷试样的原位XRD测试,通过分析(002)和(200)的相对峰强变化,计算了90°畴转向率,并与非原位XRD测试得到的数据进行比较,初步分析了外加电场卸载前后铁电陶瓷的电致畴变行为。结果表明,高达7%的a畴在电场卸载瞬间会发生回转。     

超支化聚碳硅烷的掺硼改性与陶瓷化研究

通过二甲基胺硼烷(DMAB)与烯丙基超支化聚碳硅烷(AHPCS)反应合成含硼聚碳硅烷先驱体,后经170℃热交联及高温裂解制备出碳化硅陶瓷。采用傅立叶红外光谱、热重分析、X射线衍射分析及扫描电子显微镜对上述过程进行研究。结果表明,DMAB中的B—H键可分别与AHPCS中的CC键及Si—H键发生硼氢化反应和脱氢偶合反应,从而促进AHPCS的热交联,并显著提高陶瓷产率。此外,硼的引入还可有效抑制β-SiC在高温下的结晶。