InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计北大核心

应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P型半导体层以降低基区与发射区之间的电子势垒,并通过引入梯度渐变材料及优化掺杂分布提高基区电场、增强集电区中易趋近于零区域的电场,器件的电流增益截止频率得到显著提升。此外,还列出了InGaP和InGaAsSb材料的禁带宽度和电子亲合势、P型GaAs_(0.51)Sb_(0.49)和InGaAsSb材料的电子迁移率的近似计算公式。     

4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT北大核心

报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器件的击穿电压达到了4.2 V,电流增益截止频率为390 GHz,最高振荡频率为620 GHz。建立了用于提取器件寄生参数的小信号等效电路模型,模型的仿真结果与高频实测数据具有很好的拟合精度。     

聚合力，开新局——《园林》学刊同济大学编辑部揭牌仪式暨学刊发展交流会顺利举行

<正>为集中资源优势,打造顶级期刊,助力学科行业发展,《园林》学刊编辑部与同济大学建筑与城市规划学院景观学系于2022年起正式联合办刊。2022年1月4日,《园林》学刊同济大学编辑部揭牌仪式暨学刊发展交流会在同济大学建筑与城市规划学院C1会议室顺利举行。     

联合物探方法在堤防渗漏检测中的应用

对于堤防渗漏问题，为了保障人民生命财产安全，要求是立刻检测、准确定位、及时处理。物探根据一定的物性差异，不同物性特征进行分析求解，具有及时、高效、无损等特点，在工程中广泛应用。但单一的方法，会存在一定的多解性，联合物探方法就是采用多种物探方法，根据不同物性差异综合分析，减少多解性，提高准确性。文中通过在吉林某堤防渗漏检测中的应用，验证此方法的可靠性、准确性，为后期除险加固提供指导建议。