首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  武器工业   3篇
  2019年   1篇
  2012年   1篇
  2004年   1篇
排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1
1.
本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势, 阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)技术, 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件在无线通信领域优良的性能, 低廉的成本, 可以说SiGe材料的出现为半导体材料和工艺增添了新的活力. 硅互补型金属氧化物半导体(Si CMOS)工艺因其低廉的成本, 较好的一致性是大规模数字集成电路制造的基础, 而硅锗互补型金属氧化物半导体/硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe CMOS/BiCMOS)既有硅互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺的优点, 又有良好的高频性能, 特别是SiGe HBT的出现是SiGe器件的工作频率可直接应用到微波频段, 而其成本和噪声性能是砷化镓(GaAs)材料无法比拟的. 随着对SiGe HBT, 硅锗场效应晶体管(SiGe FET)的研究, SiGe器件的高频性能, 低噪声性能, 功率和线性性能将得到展现, 为进一步降低收发信机的成本, 提高其集成度打下了基础, 展现了SiGe技术的无线领域广阔的应用前景.  相似文献
2.
目前纳秒级窄脉冲源的实现方法有很多,但很难用低电源产生大幅度窄脉冲,或是实现输出脉冲幅度大于其工作电压。提出了一种采用阶跃恢复二极管在双极型晶体管驱动下实现工作于低电压的大幅度纳秒级窄脉冲源的方法。该方法利用阶跃管的阶跃特性,同时利用晶体管的驱动,对阶跃管的激励源形式进行改进设计,实现大幅度窄脉冲。仿真和测试结果表明:该电路具有输出脉冲幅度不小于工作电压的特点,并具有电路简单、脉宽可调、易于集成等优点,适用于超宽带通信系统中窄脉冲信号的产生。  相似文献
3.
岳雷 《兵工学报》2019,40(1):143-152
针对沉底及掩埋小目标探测需求,设计低频双极性脉冲信号,提出基于双极性脉冲信号的空间与时间(简称空时)联合探测方法。分别从频谱、模糊度函数分析探测信号,根据声纳方程分析探测沉底及掩埋目标信混比情况,并搭建试验平台,完成了探测沉底小目标的试验验证。理论分析、仿真计算及试验结果表明:低频、窄波束、小掠射角方式有利于探测沉底及掩埋小目标;低频双极性脉冲信号及空时联合探测方法作为一种新型探测信号及处理方法,可提高沉底及掩埋小目标的空间分辨能力及混响抑制性能。针对沉底及掩埋小目标探测需求,设计低频双极性脉冲信号,提出基于双极性脉冲信号的空间与时间(简称空时)联合探测方法。分别从频谱、模糊度函数分析探测信号,根据声纳方程分析探测沉底及掩埋目标信混比情况,并搭建试验平台,完成了探测沉底小目标的试验验证。理论分析、仿真计算及试验结果表明:低频、窄波束、小掠射角方式有利于探测沉底及掩埋小目标;低频双极性脉冲信号及空时联合探测方法作为一种新型探测信号及处理方法,可提高沉底及掩埋小目标的空间分辨能力及混响抑制性能。  相似文献
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号