SAGCM-APD增益影响因子分析与优化

应用二维漂移扩散模型研究具有分立吸收层、渐变层、电荷层和倍增层结构(SAGCM)的InGaAsP-InP雪崩光电探测器(APD),仿真分析了不同电荷层、倍增层厚度和掺杂浓度对电场分布、电流响应及击穿电压的影响,特别是参数变量对增益计算模型的影响,载流子传输过程的时间依赖关系和倍增层中所处位置的影响,仿真结果表明:较高掺杂浓度和较薄电荷层结构可以改变器件内部的电场分布,进而提高增益值.当入射光波长为1.55μm,光功率为500 W/m2时,光电流响应量级在10-2A;阈值电压降低到10V以下,击穿电压为42.6V时,器件倍增增益值大于100.     

基于石墨毡生长的镍钴基化合物电极的双功能电催化性能

以先水热后硫化的方法制备出基于石墨毡基底的镍钴基化合物(NiCo2O4/GF和NiCo2 S4/GF)电极,探究不同水热温度对电极的催化特性的影响.通过扫描电子显微镜(SEM)、能量色散X射线光谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱仪(XPS)对样品表面形貌、结构、晶向及元素分布进行分析.通过循环伏安...     

甚长波量子阱红外探测器光耦合性能

从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光耦合的表面近场效应和光耦合效率,重点考察QWIP 45°面边耦合、光栅耦合QWIP结构、光栅尺寸、工艺条件的变化对QWIP相关性能的影响.实验与计算结果证明,合理地设计二维光栅,进行甚长波QWIP光耦合,可以获得有效的光耦合效果.     

长波GaAs QWIP二维周期光栅的耦合效率研究

在量子阱红外探测器(QWIP)上制备光栅的目的是对垂直入射的红外辐射进行有效的耦合.为了研究光栅的光耦合性能,基于模式扩展理论,详细计算长波(14.7 μm)QWIP二维周期矩形光栅的耦合效率.计算结果表明,光栅周期D=4.7 μm,栅孔深度h=1.45μm,d(栅孔)/D=0.707时,光栅的耦合效率达到最大.并且从几何光学的考虑出发,对计算结果进行了验证和分析.还讨论了二维周期光栅衍射光场的分布情况.     

纳米基掺Eu3+离子复合材料的光学性质

研究了纳米多孔玻璃中的掺Eu^3 离子的YOCI固体粉末和EuCl3溶液的光谱性质．与普通的YOCI荧光粉末相比，纳米基YOCI：Eu^3 粉末中Eu^3 的电偶极跃迁^5Do→^7F2的发射光谱被展宽，同时蓝移7 nm；Eu^3 的^5Do→^7F1跃迁与^5Do→^7F2跃迁的相对强度之比在两种激发波长(254 nm及393nm)下均得以增大。与普通的EuCl3的溶液相比，纳米基溶液不具有典型的小尺寸效应及量子限域效应，但Eu^3 高能级的激发态引起的发光得以增强。由于这种复合方法同时吸收了纳米多孔玻璃形状一定、机械强度高等优点，这种基于纳米微孔玻璃的复合材料有望发展成为一种新型实用光学材料。     

长波双色AlxGa1-xAs/GaAs量子阱红外探测器的研制

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10^-6、4.19×10^-6A;黑体探测率分别为1.5×10^9、6.7×10^9cm.Hz^1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器（QWIP）材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。     

甚长波量子阱红外探测器光耦合性能

从实验、测试和计算结果出发,运用有限时域差分法(FDTD)和传统的模式扩展(MEM)理论,研究甚长波量子阱红外探测器(QWIP)几种衍射光耦合的表面近场效应和光耦合效率,重点考察QWIP 45°面边耦合、光栅耦合QWIP结构、光栅尺寸、工艺条件的变化对QWIP相关性能的影响.实验与计算结果证明,合理地设计二维光栅,进行甚长波QWIP光耦合,可以获得有效的光耦合效果.     

长波量子阱红外光电探测器金属光栅耦合的研究——基于金属表面等离子效应

采用时域有限差分法研究了二维金属光栅量子阱红外探测器的电磁场分布,研究表明充分利用金属表面等离子效应可显著提高量子阱红外探测器光耦合效率.研究还表明,对于8μm长波量子阱红外探测器,金属光栅结构选取圆孔直径与光栅周期比为0.8 ～0.9是最有益的,此时可获得最大的光耦合效率.     

长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制

介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。     

锌基准固态电池磷化钴镍电极的制备与性能

通过一步水热法在泡沫镍衬底上生长出双金属镍钴磷化物,研究了不同水热溶液浓度对于磷化物表面形貌的影响.使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对制备的磷化物样品的微观结构和元素组成进行分析;使用电化学工作站对样品进行循环伏安(CV)测试和恒电流充放电(GCD)测试.研究发现,电化...