基于端面耦合的InP基激光器/硅光波导混合集成技术研究

针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题,提出了一种1.55μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法。使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺,设计并制备了倒拉锥型端面耦合器,与锥形透镜光纤耦合效率为36.7%。采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8%,1 dB耦合对准容差横向为1.2μm,纵向为0.95μm。     

微型低功耗EBAPS相机技术

极弱光成像或者单光子成像在夜视、侦查以及空间科学等诸多领域都有迫切的应用需求。电子轰击型有源像素传感器(Electron Bombarded Active Pixel Sensor,EBAPS)具有高灵敏、高分辨率、低噪声、小体积、低功耗的特性,正成为新一代先进的极弱光成像传感器。针对自主开发EBAPS的应用需求,选取了国内生产的有源像素像传感器(Active Pixel Sensor,APS)进行了相机电路开发。并针对穿戴式的资源约束,选用了小尺寸、低功耗的FLASH型FPGA为主控芯片,完成了APS相机电路的软硬件设计与开发。测试显示,在视频工作情况下,整机功耗0.6 W,电子学噪声6.7 m V,基本实现了微型低功耗的相机要求,为穿戴式EBAPS相机研制奠定了基础。     

混合式光电探测器

混合式探测器(Hybrid Photodetector,HPD)作为一种新型的光电探测器件,是真空与半导体类结合型探测器件。HPD包括沉积在输入光窗表面的光电探测阴极、固态半导体阳极芯片和保持系统真空度的固态阳极。工作时,光信号通过沉积在输入光窗表面的光电阴极转化为光电子,经过高能电场加速后获得高能量轰击阳极半导体芯片表面,产生大量的电子空穴对,电子空穴对在半导体内部进行迁移,并通过自身的雪崩效应实现倍增,最终以电流信号输出。该探测器摒弃了传统的光电倍增管的微通道板(Micro Channel Plate,MCP)等倍增器件,克服了倍增单元信号易饱和的缺陷,增大了探测器的动态范围。HPD探测器综合了光电倍增管的高灵敏度和半导体芯片优异的空间和能量分辨率,具有探测面积大、探测灵敏度高、倍增效应强、动态范围宽等优点。在高能物理、医学成像和天体物理中有着重要的应用。此外,该探测器具有多种结构,分为近贴聚焦结构、交叉聚焦结构和漏斗聚焦结构,能够满足不同使用范围的探测需求;随着半导体阳极技术的发展,HPD阳极从单一芯片逐渐过渡到阵列式阳极结构,满足了大面积探测的需求。同时数字式读出和倍增信号技术的封装技术的发展,提高了HPD探测器的信号倍增和读出速度,改善了器件的集成化程度,有利于探测信号读出速率和信噪比的提升。近年来,其单光子计数和高动态响应等能力逐步被重视,将会在未来的光电探测领域发挥更为重要的作用。     

大鼠海马CA3区锌的分布及缺锌后亚细胞水平锌的变化

通过液体缺锌饲料灌胃的方式建立单纯缺锌模型，采用Ｔｉｍｍ’ｓ组化法，电镜下观察海马神经元亚细胞水平锌的分布和反应颗粒数目的变化。结果见：（１）锌浓集分布于正常大鼠海马苔藓纤维终末的囊泡内，其中以ＣＡ３区放射层最多，其次是分子层和锥体层，在突触间隙内也具锌存在。（２）缺锌时，海马神经元亚细胞水平锌的分布模式与对照组无区别，但锌反应颗粒数目明显减少，本实验从一定程度证明；（１）．海马神经元的锌与神经元     

缺锌大鼠海马生长抑素神经元突触结构的变化

实验采用液体缺锌饲料罐胃的方式使大鼠缺锌两周，采用ＡＢＣ免疫酶技术，电镜下观测了海马生长抑素（ＳＳ）神经元突触结构及其内线粒体数目以及含有不同级数量（〈１０，１１～５０，〉５５）ＳＳ阳性囊泡突触比例的变化，结果表明：在缺锌状态下，海马ＳＳ神经元突触结构内线粒体数减少（Ｐ〈０．０１）少于１０个囊泡的ＳＳ阳性突触增加，而大于５０个囊孢的ＳＳ阳性突触则明显减少（Ｘ＾２＝１０５．１８，Ｐ〈０．０５），说明     

基于增加稳定时间的Ad Hoc网络路由协议设计

对Ad Hoc网络现有的最基础的路由协议作了简单介绍,在按需式距离矢量路由协议(AODV)的基础上,结合移动预测的概念及一跳备份路径的思想提出一个新的路由协议稳定性按需距离矢量路由协议(SAODV),该协议在路由发现的过程中牺牲最短路径的情况下,保证了路由产生后的最大稳定性,这在Ad Hoc网络节点无规则的状态下显得无比重要,随后在路由维护中引入了两跳路径的概念,在断开的两节点间通过移动预测选择两跳路径使路由重连,从而减少整条路由重新选择的延时。     

干湿结合法在CdZnTe衬底上制备折射型红外微透镜的研究

针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备,提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学湿法腐蚀制备折射微透镜的方法,通过采用多次光刻套刻后分别对CdZnTe材料进行高刻蚀速率、低损伤的ICP-RIE刻蚀,制备出具有深浮雕结构的微透镜雏形,最后采用溴-乙醇溶液腐蚀成形,成功在CdZnTe衬底上制备了深度达60μm的连续深浮雕结构的微透镜线列,并对该微透镜的面形轮廓和光学性能进行了测试分析,在红外探测器的微光学元件领域有着巨大的应用前景。