基于端面耦合的InP基激光器/硅光波导混合集成技术研究

针对硅光子集成回路缺少实用化光源的问题,提出了一种1.55μm波段InP基FP激光器芯片、InP基PIN光电探测器芯片与硅光波导芯片集成模块的设计与制备方法。使用CMOS工艺兼容的硅光无源器件制备工艺,设计并制备了倒拉锥型端面耦合器,与锥形透镜光纤耦合效率为36.7%。采用微组装对准技术将激光器芯片与硅波导芯片耦合、UV固化胶固化后耦合效率为35.8%,1 dB耦合对准容差横向为1.2μm,纵向为0.95μm。     

灰铁铸件牌号要求与熔炼配料选择

由于铸件壁厚对其性能有明显影响，牌号要求相同、壁厚不同的灰铁铸件必须采用不同的成分和配料。介绍不同灰铁铸件牌号标准的对照，并用生产实例说明如何根据图纸牌号要求、铸件结构和使用性能要求选择化学成分控制标准和熔炼配料。     

QT900-2高强韧厚大断面球墨铸铁的研究

研究了Sb和热处理工艺对厚大断面球墨铸铁组织和性能的影响,试验结果表明:(1)合理的RE加入量可以中和Sb的反球化作用,改善石墨形态,增加石墨球数量;(2)Sb强烈细化珠光体,但是含量太高会影响球化和导致碳化物的生成;(3)采用940℃(3 h)正火+460℃(4 h)回火的热处理工艺,合金元素含量为w(Cu)1.0%、w(Sn)0.15%、w(Sb)0.025%时,厚度为70 mm的附铸试块性能达到了QT900-2的要求,尺寸为500 mm×500 mm×700 mm的方形试块布氏硬度达到了311 HB以上,并且硬度偏差只有17 HB。     

厚大断面高强度QT900-2材料的研究

研究了Sb和热处理工艺对厚大断面球墨铸铁组织和性能的影响。试验结果表明,适量的稀土元素可以降低Sb的反球化作用,改善石墨形态,增加石墨球数量。Sb和热处理可促进珠光体的生成,提高强度。通过这种常规的方法,使70 mm厚的附铸试块的性能达到了QT900-2的要求,500 mm×500 mm×700 mm厚的试块硬度达到HB310以上,硬度偏差小于HB20。