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一种芯片集成Ku波段MESFET压控振荡器的设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种Ku波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(简称VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为14.14GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,满足实际应用。 相似文献
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GaAs等固态微波裸芯片电性能测试需要采用探针将共面波导参考面过渡到同轴参考面。设计制作了用于微波探针校准的GaAs衬底的计量级标准样片,包括SOLT 和TRL 校准模块,以及匹配传输线、衰减及驻波等验证模块。提出了平衡电桥结构,兼具衰减驻波标准,带内平坦,且工艺适应性好。经过与国外校准片比对,验证了频率覆盖100 MHz ~50 GHz,驻波比测量范围:1.1,1.5,2.5,5,10;衰减测量范围:-1 dB,-2 dB,-3 dB,-10 dB,-20 dB,-30 dB,-40 dB;匹配负载反射损耗小于-30 dB。同时提取了SOLT校准模块的矢网校准用参数。 相似文献
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跨阻放大器S参数与跨阻增益间的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
在等效电路模型基础上,推导了单端输入单端输出和单端输入差分输出情况下跨阻放大器跨阻增益计算公式,探讨了光探测器输出阻抗对跨阻增益的影响,分析了电路S参数与跨阻增益的关系。并且利用ADS仿真工具对理论推导进行了仿真验证,最后通过实验测量单端输入单端输出跨阻放大器的S参数及数据分析,对理论进行了验证。 相似文献
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文中介绍实用的自动测试系统.该系统使用矢量网络分析仪测量固体介质材料的S参数,进而测得材料的相对复介电常数、复磁导率.并从算法提取、测试夹具、测试流程、系统校准等方面对系统的原理及设计加以详细阐述. 相似文献
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应用矩量法,对90°拐角及其45°切角的微带线特性进行了研究。当不连续处的影响比较小的时候,例如微带线的拐角,微带线两端的微小失配将严重影响拐角处S参数的计算精度,本文提出了一种新方法对其进行处理,提高了计算结果的精确度。结果表明,选用合适切角,微带线的传输特性将会有较大改善。本文最后列表给出了不同介电常数和不同宽高比时最佳切角大小。 相似文献
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