天然气管道经济运行分析

对影响天然气管道建设经济性的相关因素和手段进行了探讨，对压气站压缩机组经济运行的相关指标进行了分析，并以靖西线为例说明保障天然气管道经济运行的方法。认为从设计阶段就要考虑选用合理的管径、压力和工艺参数，同时在输气过程中要对输气管道的工艺运行模式和压缩机运行状况进行不断优化，才能达到节能降耗、提高管道输送效率以及延长管道使用寿命的效果。     

浅谈计算机信息安全及防护

随着计算机网络技术的快速发展和宽带的迅猛普及,在给人们带来便捷的同时,计算机信息的安全问题也日益突出,不仅影响到计算机系统的正常使用,严重的还会泄露重要信息,带来一系列的麻烦和损失.本文分析了常见的计算机信息安全隐患,并对信息安全防护提出相关措施和建议,以更好地保护计算机信息安全.     

4H-SiC MESFET结构与直流特性研究

运用二维器件模拟器ISETCAD对4H-SiCMESFET不同结构的直流特性进行了模拟,重点考虑表面陷阱对直流特性的影响。与凹栅结构相比,埋栅结构的器件降低了表面陷阱对电流的影响,饱和漏电流提高了37%,而且阈值电压的绝对值增大、跨导升高,对提高4H-SiCMES-FET器件的输出功率起到一定的作用。     

SiC VDMOS特性的影响因素分析

研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响.结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件.对阈值电压和漏极电流的分析表明,在Vds＝ 0.1 V、Vgs＝15 V时,阈值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大,随沟道长度的增加而增大;而漏极电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小,随沟道长度的增加而减小.     

靖西天然气输送的工艺优化与技术改造

陕北靖边气田至西安市的靖西输气管道，其下游的西安市天然气消费市场具有冬夏两季用气很不均衡、日用气峰谷比大等特点。如何保证西安市的安全平稳供气至关重要。文章在分析西安市用气规律的基础上，介绍了为保证正常供气和管道平稳运行所采取的诸如调整输气管道运行压力与优化压缩机运行参数以充分发挥现有管输能力。以及整改不合理的设计以提高供气安全性等措施。     

2,2′-二硫代水杨酸的合成工艺研究

以邻氨基苯甲酸为原料,经亚硝酸钠和盐酸重氮化后,在低温下与液体二氧化硫进行硫化反应得到2,2'-二硫代水杨酸。考察并优化了合成工艺参数,重氮化温度为0～5 ℃,催化剂为硫酸铜,助催化剂为碘化钾,硫化温度为5 ℃,液体二氧化硫的用量按n(邻氨基苯甲酸):n(SO₂)=1:4选择。在此条件下收率为95.8%,高效液相色谱仪测定质量分数为98.1%。目标产物经红外、元素分析、质谱结构确认。该路线具有收率高、操作简单、产品纯度高等优点。     

基于温度补偿的1V CMOS电流基准源

利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源.使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点.在1 V工作电压,TSMC 0.25μm CMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20～120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10-6,功耗为53.5μW.     

改进的Q-M逻辑函数化简方法

为进一步提高逻辑函数的化简速度,提出一种改进的Q-M逻辑函数化简方法。在迭代比较过程中设置2个权值以缩减可合并蕴涵项集合的大小,只对满足条件的蕴涵项进行合并处理,得到全部质蕴涵项。构造质蕴涵项与最小项关联图,利用启发式规则得到能蕴涵全部最小项的最少质蕴涵项集合,从而得到逻辑函数的最小覆盖,完成逻辑函数化简。实验结果表明,该算法能降低迭代次数,减少逻辑函数的化简时间。     

6H-和4H-SiC功率VDMOS的比较与分析

采用二维器件模拟器ISE TCAD 7.0,对比研究了6H-SiC和4H-SiC VDMOS的基本特性.结果表明,在Vgs为8 V时,4H-SiC VDMOS的漏极电流比6H-SiC高约1.5倍,证实了4H-SiC具有较高的体迁移率,且受准饱和效应的影响较小,因此比6H-SiC器件具有更高的饱和电流密度,而两种器件的阈值电压基本相同,均为7 V左右.对器件开关时间和单位面积损耗的分析表明,4H-SiC比6H-SiC更适合用于VDMOS功率器件.此外,还研究了沟道长度对器件漏极饱和电流的影响,结果表明,随着沟道长度的减小,器件的漏极电流增大.     

浅谈中学体育的学生个性培养

在中学体育教学中,教师应充分尊重学生的主体地位,培养和照顾学生的个性,发挥体育学科的育人优势,并注意教师个性的示范作用,以促进学生的个性得到全面、和谐的发展。