自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究

用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。     

InGaP/GaAs外延材料合金有序度的表征

对InGaP/GaAs外延材料合金有序度表征方法进行了综述，指出从结构X-Ray）光学性能摘要（透射电子显微镜，、（光、电学性能三方面度量InGaP/GaAs材料的有序度。     

预烧温度对0.363BiScO3-0.637PbTiO3高温压电陶瓷性能的影响

研究了不同预烧温度对反应烧结0.363BiScO3-0.637PbTi O3陶瓷的微观结构及压电介电性能的影响。根据0.363BiScO3-0.637PbTi O3的配方,通过热失重-差热分析判断Sc2O3、Bi2O3、Pb3O4、Ti O2粉末混合物分解、化合反应点和预烧温度范围;运用XRD、SEM研究了不同预烧温度下制备陶瓷样品的微观结构;通过压电介电性能测试,确定出最佳预烧工艺条件。结果表明,最佳的预烧条件为740℃保温2 h。经1 080℃、2 h烧成陶瓷的压电常数d33=308 pC/N,机电耦合系数kp=0.437,介电常数ε3T3/ε0=1 560,介电损耗tanδ=0.021,退极化温度TD=460℃。在此工艺条件下,该陶瓷性能优良、制备重复性好,在高温压电陶瓷传感器、换能器等方面显示出实用化前景。     

掺In对反型AlGaAs/GaAs异质界面质量的改善及其应用

研究了Al Ga As层掺1%的In对Al Ga As/Ga As量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.2 5 K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善Al Ga As/Ga As异质界面的粗糙度.将此方法应用到反型Al Ga As/Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构中,Hall测量表明该方法能有效提高反型HEMT的电学性能     

RTD与HBT单片集成研究

设计并研制了共振隧穿二极管(RTD)与异质结双极晶体管(HBT)单片集成负阻逻辑单元。详细介绍了逻辑单元的材料结构及工艺流程的设计过程,得到了较好的负阻特性,其开启电压1V左右,峰谷比大于2∶1。同时建立了负阻逻辑单元的模型,通过Pspice模拟结果表明与实际逻辑单元特性吻合良好。     

低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。     

制备工艺对新型大各向异性压电陶瓷材料性能的影响

通过在钙改性钛酸铅陶瓷材料中添加少量Pb(Zn1/2W1/2)O3、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3和MnCO3,研制出了一种既有大机械品质因数又有大各向异性的压电陶瓷新材料,在预烧温度为845－905℃和烧结温度为1130－1190℃的范围内对新材料的微观结构、性能进行了讨论。当预烧温度为860－885℃,烧结温度为1160－1180℃时,样品在压电性能较佳,该材料可用于制作高温高频换能器。     

一种压电陶瓷降压变压器材料的研究

研制了一种新型的添加CaCO3,Bi(Cd1/2Ti1/2)O3,MnO2的改性PbTiO3压电陶瓷材料.从压电活性、压电各向异性、介电常数、介电损耗、机械品质因数及Curie点等综合参数看,该材料可用来开发压电陶瓷降压变压器.实验确定其典型配方为Pb0.73Ca0.27TiO3+4%(in mole)Bi(Cd1/2Ti1/2)O3+1%(in mole)MnO2;在优化后的制备工艺条件下,其主要参数为:εT33/ε0=187,d33=60×10-12 C.N-1,Kt=0.49,Kp=0.052,Qm=560,tan δ=0.7%,θC=317 ℃.     

高d_(33)·g_(33)PZT压电陶瓷的制备

通过传统固相烧结方法,研究不同Sb2O3掺入量和有机粘合剂聚乙烯醇(PVA)掺入对锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷性能的影响,制备了高d33·g33PZT压电陶瓷。采用扫描电子显微镜,阻抗分析仪,压电参数分析手段,对PZT压电陶瓷的性能进行了测试,结果为:机电耦合系数Kp=63.5%,介电损耗tanδ=0.018,相对介电系数εr=2004,压电性能d33=512pC/N,g33=29×10-3Vm/N,d33·g33=14.62pC·Vm/N2。该材料可应用于多个领域。     

低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

研制了一种添加Bi(Cd1/2Ti1/2)O3、MnO2、SiO2的新型低温结改性PbTiO3压电陶瓷材料,实验发现低熔物SiO2是影响烧结的主要因素,除能明显降低该材料烧结温度外,还能起掺杂性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因素及低介电常数等特点,960℃烧成时主要性能参数为：厚度机电耦合系数kt=0.49;径向机电耦合系数kp=0.027;压电各向异性比kt/kp=18;压电应变常数d33=65pC.N∧-1;机械品质因素Qm=541,密度ρv=7.4g.cm∧-3,居里温度Tc=312℃,介电常数ε∧T33/Eo=177,介质损耗tanδ=0.63%,该材料在叠层压电滤波器和叠层压电和压变压器方面显示出很好的应用前景。