Construction of Larger Area Density-Uniform Plasma with Collisional Inductively Coupled Plasma Cells

The plasma density and electron temperature of a multi-source plasma system composed of several collisional inductively coupled plasma （ICP） cells were measured by a doubleprobe. The discharges of the ICP cells were shown to be independent of each other. Furthermore, the total plasma density at simultaneous multi-cell discharge was observed to be approximately equal to the summation of the plasma density when the cells discharge separately. Based on the linear summation phenomenon, it was shown that a larger area plasma with a uniform density and temperature profile could be constructed with multi-collisional ICP cells.     

CMOS存储器瞬时辐照效应规律实验研究

对超深亚微米存储器(32 k SRAM)激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究,实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律,比较了零时SRAM的状态(读状态和片选无效状态)对效应规律的影响,得到了一些初步的效应规律.     

0.18 μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18 μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18 μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

商用三端稳压器的中子辐射效应

实验研究了两种型号(CJ79L05011和CJ7905011)的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的关键因素,并理论推导了输出电压和晶体管放大倍数的关系,利用PSPICE软件进行了模拟仿真,结果表明理论曲线和实验现象是基本一致的。     

酱香白酒酿造过程中产多元醇功能酵母的筛选

为了解酱香型白酒酿造过程中产多元醇酵母的种类和功能,以酱香型白酒大曲和酒醅中分离的酵母为研究对象,采用薄层层析法和高效液相色谱-蒸发光散射检测器法（HPLC-ELSD）对具有产多元醇功能的酵母进行筛选和多元醇定性、定量分析。实验结果显示,从142株酵母菌中筛选出5株具有产多元醇功能的酵母菌娄德酵母（Lodderomyces elongisporus） FBKL2.0073、库得毕赤酵母（Pichia kudriavzevii） FBKL2.0008、Trichosporon coremiiforme FBKL2.0310、Trichosporon coremiiforme FBKL2.0307和Trichosporonoides sp. FBKL2.0315,其中前4株菌都能产D-阿拉伯糖醇,L. elongisporus FBKL2.0073菌株产多元醇的总量最多,为（9.87±0.85） g/L。     

0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

场景自适应码率控制算法研究

H.264建议的码率控制算法在处理场景切换问题时存在着一定缺陷。为有效解决此问题,本文提出了一种场景自适应的码率控制算法,通过对目标比特数进行动态调整来改善切换点及后续帧的编码质量。实验结果表明,采用改进算法后测试序列的平均PSNR有明显增益。     

EEPROM和SRAM瞬时剂量率效应比较

对一种256 kb EEPROM电路AT28C256和一种256 kb SRAM电路HM62256开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的闩锁效应、翻转效应等。HM62256的翻转阈值为9.0×106 Gy(Si)/s,闩锁阈值高于5.4×107 Gy(Si)/s。AT28C256的闩锁阈值为2×107 Gy(Si)/s,存储单元翻转阈值高于3.0×108 Gy(Si)/s。对于SRAM,其翻转阈值远低于闩锁阈值;而对于EEPROM,在瞬时辐照下,闩锁阈值远低于存储单元的翻转阈值。基于两种存储器的数据存储原理,分析了SRAM和EEPROM瞬时剂量率效应差异的原因。     

弘扬陶瓷文化推动陶瓷经济发展

一、陶瓷文化的内涵及其历史价值 1．瓷器是中国古代伟大发明之一,是中华文明对人类文明的伟大贡献。陶瓷文化是千年沉淀下来的与陶瓷生产相关的物质、精神、制度、行为等融合而成,是集地方文化、时代特征、特定政治背景、文化时尚、工艺水平、美学思想等诸多因素在内的手工业文化,包括原料开采、工艺流程、行业制度、名匠名人、器物形制、装饰风格、作坊、瓷行、生产习俗、行规、市场、窑神崇拜、御窑、民窑等内容,具体表现为制度文化、器物文化、装饰文化、工艺文化和与陶瓷行业有关的民风民俗等。     

64K CMOS随机存储器瞬时辐射损伤模式分析

对64K CMOS随机存储器6264进行了"强光一号"长脉冲辐射状态和短脉冲辐射状态下的辐照实验,测量了存储器翻转效应,分析了不同脉冲宽度下效应的差异,绘制了存储单元的翻转位图,研究了6264的辐射损伤模式。对于6264,其存储单元的翻转主要由内部路轨塌陷引起。