镁合金表面氧化石墨烯复合涂层的研究现状

镁合金具有密度小、阻尼减振降噪性好和导电性好等优点,是目前工程应用中最轻的金属结构材料.但镁合金电极电位低、易腐蚀的缺点,限制了其在工业上的应用.目前,表面涂层防护技术是提高镁合金耐腐蚀性最有效的方法之一.氧化石墨烯(GO)因具有显著的热学和阻挡性能,在金属保护等方面具有广阔的应用前景.基于GO 设计的涂层可以对腐蚀性介质提供良好的物理屏障,已成为防腐蚀涂层的候选材料之一.本文对单一组分的GO 纳米片本身存在团聚和相容性差等局限性问题提出了解决方案.主要回顾了GO 复合涂层制备方法和类型,总结了在镁合金防腐领域的最新研究进展,并深入分析了其保护机理.最后,对GO运用到的镁合金表面腐蚀防护涂层的未来发展趋势进行展望.重点阐述了镁合金表面氧化石墨烯复合涂层的制备方式以及种类,综合说明了镁合金表面氧化石墨烯涂层的研究进展以及腐蚀保护机制.     

有界波模拟器中线缆倾角对电磁耦合的影响

电力设备中的断路器、隔离开关等一次设备与二次控保设备距离越来越小,由于一次设备操作而引起的电磁场环境突变,降低了二次设备的可靠性。例如变电站中的隔离开关在合闸和分闸时会产生瞬态强电磁脉冲,该脉冲所携带的部分能量与暴露在二次设备外部的线缆耦合,流入设备内部并对其中的电子元器件造成电磁干扰,严重时器件失效并导致设备工作异常。为探明其电磁耦合机理,本文汇总整理了不同电压等级的变电站因开关操作所产生的瞬态电磁场,提取出电磁脉冲的特征波形,利用有界波模拟器在实验室环境下近似再现了特征波形,并对线缆在有界波模拟器中的摆放形态进行了全波仿真分析,揭示了线缆摆放角度对电磁耦合的影响,为电力芯片在复杂电磁场环境下开展可靠性检测提供了理论基础。     

高功率808 nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征

利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.     

长寿命电动自行车用电池及配套的充电器

研制了电动自行车用的长寿命VRLA电池。为延长电池寿命,采取了以下一些措施:采用高耐蚀的析氢过电位高的板栅合金;提高活性物质表观密度;选择了强度和吸液率均较理想的AGMP隔板;铅粉中加铋并在正负极铅膏中加入碳纤维以形成导电网络;采用高温高湿工艺。介绍了配套用的智能型负脉冲去极化充电器及充电方法。     

适用于高密度封装的失效分析技术及其应用

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战.常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进.介绍了X射线、计算机辅助层析成像(CT)技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势.并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因.最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围.     

计算机查找方法在集成电路ESD故障定位中的应用

为了缩短复杂集成电路在ESD测试中出现的故障问题的定位次数及定位时间,提出了五种测试定位方法。对这些方法以顺序查找法、二分查找法及分块查找法为基础进行了定位次数及定位时间的通用公式推导,进而进行了定位次数及定位时间的分析对比。针对分块查找法,延伸出了三种不同的查找方法;同时针对这五种查找方法提出了测试定位效率的概念。发现对于超过8个管脚的复杂集成电路,二分法是减少测试定位次数的最佳选择,分块法2是减少测试定位时间及提升测试定位效率的最佳选择;对于少于8个管脚的集成电路,顺序法和二分法是较好的选择方法。     

浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响

随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOSFET)器件的栅和衬底电流,分析了180 nm N沟道晶体管中STI对于栅和衬底电流的影响。结果表明栅电流随着SA的缩小呈现先缩小后增大的趋势,衬底电流在常温以及高温下都随着SA的减小而减小。文章用应力机制导致的迁移率以及载流子浓度的变化对栅和衬底电流的变化趋势进行了分析,通过改进伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM)模拟了STI对衬底电流的影响,为设计人员进行低功耗设计提供了衬底电流模型。     

伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展

随着金属氧化物半导体(MOS)集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变.介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM),以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论.回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6.从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的.最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望.     

ZIF-67膜在AZ31镁合金微弧氧化防腐涂层上的合成（英文）

为了提高AZ31镁合金的耐蚀性和金属有机骨架MOFs涂层的结合力，通过在AZ31镁合金微弧氧化(MAO)涂层上原位生长，制备MAO/ZIF-67(微弧氧化/钴基金属有机骨架)复合涂层。结果表明，具有菱形十二面体的ZIF-67在MAO涂层表面均匀生长，与基体具有良好的附着力，这使得MAO/ZIF-67复合涂层具有良好的耐蚀性。实验证明，ZIF-67能有效封闭MAO涂层的孔隙，增加腐蚀介质侵入路径的曲折度，显著提高镁合金的耐蚀性。此外，MAO预处理使涂层具有强的附着力，这更有利于ZIF-67密封微孔。本研究对于降低MOF涂层在所有金属基底上的应用限制具有重要意义。