宽工作电压范围单电源CMOS误差放大器

采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3～6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。     

深亚微米集成电路的快速时域仿真技术

随着深亚微米集成电路技术的发展，集成电路的规模越来越大，工作频率越来越高，并正朝着系统集成的方向发展，因而在模拟速度，模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来，各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出，并将取代那些传统的，已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。     

关于水泥土墙墙顶水平位移控制值的探讨

文章简述基坑支护变形控制的意义，综合有关变形控制的经验值，探讨支护桩墙变形的构成，建立以抗拉强度控制水泥墙墙顶水平位移允许控制值的分析思路，以供基坑支护变形控制研究和工程应用参考。     

大倾角斜井辅助提升研讨

文章论述了煤矿大倾角斜井的综机设备、胶带机检修绞车等辅助提升现状,介绍了牵引车技术性能和开关磁阻电机基本结构与调速原理。对实例牵引车方案进行了比选和优缺点分析及首选推荐,研讨了安全问题及改进意见。     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变     

录像机软件伺服控制定时一体化技术

分析了当前录像机伺服控制系统和定时器系统相分离的两ＣＰＵ结构的缺点和局限，进而提出了伺服／控制／定时系统一体化的方法，给出了数字软件伺服系统的模型，并设计了适用伺服环路的数字补偿滤波器。所有功能均在单片微处理器ｕＰＤ７８４９１５上编程实现，得预斯的结果。