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1.
在铸态情况下,研究了添加微量Ni对MgNi合金的微观组织、力学性能、硬度及断裂方式的影响.结果表明,纯Mg的组织主要为α相,MgNi系列合金MgNi0.28,MgNi0.99,MgNi1.54合金除了α固溶体外,还存在γ相和Ni相.纯Mg的晶粒粗大,加入Ni后,晶粒得到细化,大小趋向均匀.当添加少量Ni时,合金的抗拉强度显著增加;但当Ni含量超过0.28%时,抗拉强度增加不明显.随Ni含量的增加,MgNi合金的延伸率、硬度先增大后减小;MgNi合金的断裂方式由解理断裂向沿晶断裂方向发展. 相似文献
2.
研究了Ir/Re喷管制备过程中的Ir/Mo互扩散问题。在电子探针测量的基础上,根据扩散理论和Ir-Mo相图数据,建立并推导Ir/Mo扩散模型和解。计算得到Ir3Mo相中的互扩散系数为:D=9.0×10-9exp(-1.46eV/kT)(cm2/s),Ir基固溶体中的互扩散系数为:D=5.0×10-10exp(-1.1eV/kT)(cm2/s)。确定喷管中Ir/Mo互扩散的特点,给出估算Ir3Mo相层厚的方法。确定Re在Ir3Mo相中的扩散主要是受Ir控制。 相似文献
3.
采用CVD方法制备了Ir/Re复合材料。研究了Ir层中Ir晶粒的形貌和生长特点,计算得到Ir晶粒生长动力学方程:(x2-x02)/t=4.31×103exp(-2.65eV/kT)(μm2·s-1)。研究了CVD过程中Re层表面晶粒生长和V,W型浸蚀纹的关系。对靠近Ir层的细晶粒区和Re层中部的柱状晶粒区中Re晶粒的再结晶长大进行了研究,计算得到柱状晶区中Re晶粒的生长动力学方程:(x2-x02)/t=2.55×103exp(-1.52eV/kT)(μm2·s-1),研究了Ir/Re扩散、Re扩散对细晶区中Re晶粒生长动力学的影响。 相似文献
4.
5.
6.
利用化学气相沉积(CVD)技术制备了HfO2涂层和Ir/HfO2复合涂层,采用金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、电子探针(EPMA)对涂层的性能进行分析。结果表明:在沉积Ir时,沉积室升温速率≤10 ℃/min时,制备出的Ir/HfO2复合涂层经真空高温热处理后可获得表面质量良好的Ir层,且Ir层纯度达到99.77%;真空热处理有益于提高Ir/HfO2复合涂层之间的结合程度,且热处理温度越高,结合效果越好;表面制备有HfO2涂层的Ir棒在1980 ℃氧化10 h的条件下,HfO2涂层对Ir的保护效果显著,可将Ir的氧化深度由毫米级降至数十微米。 相似文献
7.
纯铱具有较大的致密度,将铑粉与铱粉合金化可以增强铱的高温抗氧化性能。设计了5组热等静压工艺参数制备Ir-20Rh合金。通过观察热等静压后样品的金相显微组织,测量合金的硬度、计算孔隙率以及致密度,研究压力和温度条件对铱铑合金热等静压致密化的影响。结果表明,随着压力和温度的升高,Ir-20Rh合金的致密度都会有所增加,且温度对Ir-20Rh合金致密度的影响幅度大于压力对Ir-20Rh合金致密度的影响。最佳热等静压工艺参数为在1300℃、140 MPa保温2 h。 相似文献
8.
以乙酰丙酮铱为沉积源物质,采用化学气相沉积法在金属钼基体上制备铱薄膜,研究基体加热温度对铱薄膜沉积速率的影响。发现铱在钼基体的生长规律不符合Arrhenius公式,当Tsub低于750℃时,Dr随Tsub的上升而直线增加;而当Tsub高于750℃,Dr则随Tsub的上升而呈直线降低,Dr值在750℃时达到最大。SEM研究表明,铱薄膜以约0.1μm的颗粒沉积生长,表面形貌与钼基体表面加工痕迹相对应,铱薄膜中的氧含量与沉积过程通入的氧气流量有关。 相似文献
9.
设计合成了一种新的离子型铱配合物[Ir(dmpmq)2(dtbpy)]PF6,该配合物以2-(3,5-二甲基苯基)-4-甲基喹啉为主配体,4,4''-二叔丁基-2,2''-联吡啶为辅助配体,六氟磷酸根为阴离子。通过核磁共振谱(1H-NMR,13C-NMR)、质谱(MS)、单晶X射线衍射(XRD)确认了配合物的化学结构,采用光致发光光谱(PL)和紫外可见光谱(UV-Vis)对其光物理性能进行了研究。结果表明,该配合物为单斜晶系,空间群为C2/c;配合物在二氯甲烷溶液中的最大发射波长为579 nm,为典型的黄光发射离子型铱磷光配合物。 相似文献
10.