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2.
介绍了神经网络与线性分组码之间的关系,并在文献[1]的基础上证明了软判决译码与求解能量函数最大值之间的等价性,然后以(7,4,3)汉明码为例介绍了神经网络在循环码硬判决、软判决译码中的应用。 相似文献
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4.
对多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S工艺进行了研究,开发出了1.2μm多晶硅双栅全耗尽SO I CM O S器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。NM O S和PM O S的阈值电压绝对值比较接近,且关态漏电流很小,NM O S和PM O S的驱动电流分别为275μA/μm和135μA/μm,NM O S和PM O S的峰值跨导分别为136.85 m S/mm和81.7 m S/mm。在工作电压为3 V时,1.2μm栅长的101级环振的单级延迟仅为66 ps。 相似文献
5.
一款MP4拥有20GB容量的话您就不会在大容量文件面前妥协了,相比只能存下一部电影的闪存MP4来说,20GB能存下20~30部高质量的影片,这样您也不用担心MP4装的影片太少了。除了影片,20GB的容量还可以存储更多其它您需要的图片、动画、音乐、小说等。对于一款MP4来说20GB的容量是最适合的,我们今天也搜索了几款价格合理而且拥有20GB容量的MP4供大家参考。纽曼宽屏王M988纽曼宽屏王M988外形尺寸为130×78×20mm,20GB容量,采用16∶9的宽屏幕显示,并拥有分辨率为480×272的4英寸大屏幕。在功能方面,纽曼宽屏王M988支持MPEG-1、MPEG-2… 相似文献
6.
对PDSOI CMOS 器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的角度,对PDSOI CMOS器件和电路的总剂量辐照敏感区域:正栅氧化层、场区氧化层及埋氧层提出了折中的方法.采用此种方法研制了抗总剂量辐照PDSOI SRAM ,进行总剂量为2×105 rad(Si)的辐照后SRAM的各项功能测试均通过,静态电流的变化满足设计要求,取数时间:辐照前为26.3 ns;辐照后仅为26.7 ns. 相似文献
7.
绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0 V时的580 mV动态变化到VBS=0.6 V时的220 mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下,更具有优势.工作电压为0.6 V时,动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25.5倍,0.7 V时为12倍.而且浮体nMOSFETs中的浮体效应,诸如Kink效应,反常亚阈值斜率和击穿电压降低等,均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制. 相似文献
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9.
气饱是铝合金板带箔产品的缺陷之一,也是复合铝合金箔的主要缺陷。分析和探讨了在生产过程中铝合金复合箔气泡产生的原因,提出了预防该缺陷的措施,同时强调了生产过程的注意要点。 相似文献
10.
体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 总被引:2,自引:1,他引:1
制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RF IC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。 相似文献